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德州儀器正在將GaN半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝向8英寸過渡

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-03-07 11:06 ? 次閱讀
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德州儀器,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,近日宣布正在積極推進其氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從當(dāng)前的6英寸向8英寸過渡。這一重大舉措旨在進一步提高生產(chǎn)效率、降低成本,并鞏固公司在GaN半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。

據(jù)德州儀器韓國總監(jiān)Ju-Yong Shin透露,公司傳統(tǒng)上采用6英寸工藝生產(chǎn)氮化鎵半導(dǎo)體,但隨著技術(shù)的不斷進步和市場需求的日益增長,6英寸工藝已逐漸難以滿足高效、大規(guī)模的生產(chǎn)需求。因此,德州儀器決定對生產(chǎn)工藝進行升級,以適應(yīng)市場發(fā)展的新趨勢。

德州儀器計劃在其位于達(dá)拉斯的工廠率先實現(xiàn)這一過渡,預(yù)計將在2025年之前完成8英寸工藝的量產(chǎn)。同時,位于日本會津的工廠也正在緊鑼密鼓地將現(xiàn)有的硅基8英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為GaN半導(dǎo)體產(chǎn)線,以進一步提升公司的整體產(chǎn)能和效率。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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