3 月 7 日報道，SK 海力士為了保持在高帶寬內存（HBM）存儲芯片領域的優(yōu)勢，預計到 2024 年投資超 10 億美元以增強韓國境內的測試和封裝實力。預估消息顯示，SK 海力士今年總額將達 105 億美元的資本支出。

彭博社表示，測試和封裝在總費用中的占比達到了 10%，足見 SK 海力士對該業(yè)務的重視程度。IT之家進一步披露，此項任務交給了 Lee Kang-Wook 負責，他擁有豐富的經驗，曾在三星電子任職期間，擅長將多種半導體材料融合并開發(fā)新型互聯(lián)技術。

Lee Kang-Wook的觀點是，未來半導體產業(yè) 50 年將關注芯片封裝技術，結束長期依賴硅加工相關組件的階段。他效力于 HBM2E 內存芯片包裝技術的研發(fā)，正是此處的技藝精湛，使 SK 海力士成為英偉達的重要AI芯片供應商。

值得注意的是，Lee Kang-Wook早在 2002 年起便領導堆疊半導體元件層間互連技術的研發(fā)。在此過程中，他打造出的技術為此后 HBM 內存芯片的問世鋪平道路，最新的 HBM 內存芯片由 12 個堆積層垂直相連。

據了解，2013 年向市場推出 HBM 的 SK hynix 以及 AMD，在此后的兩年時間里一直獨樹一幟，直至 2015 年年末，三星才推出 HBM2。而現(xiàn)在，SK hynix正聯(lián)合日本企業(yè)共同開發(fā)更先進的 HBM 存儲器芯片的垂直互連技術。二月底，三星宣稱已經成功研發(fā) 12 層 HBM3E 芯片，單個堆棧最高可提供 36GB 的內存。與此同時，美光科技亦公布 8 層 HBM3E 內存，單個堆棧容量達 24GB。