電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文 / 吳子鵬）日前，SK 海力士宣布正式量產(chǎn)基于第六代 10 納米級（1c）LPDDR5X DRAM 的 192GB 容量 SOCAMM2（Small Outline Compression Attached Memory Module）產(chǎn)品。這是低功耗內存技術正式進軍高性能 AI 服務器領域的又一標志性事件。作為下一代 AI 基礎設施的核心組件，SOCAMM2 不僅突破了傳統(tǒng)服務器內存的帶寬與功耗瓶頸，更揭示了 AI 時代對內存技術的全新需求。

SK 海力士表示，SOCAMM2 相比傳統(tǒng) RDIMM，在帶寬與功耗表現(xiàn)上均實現(xiàn)顯著提升。

下一代 AI 服務器對 DRAM 的核心需求

隨著 AI 發(fā)展從訓練階段逐步轉向大規(guī)模推理階段，內存子系統(tǒng)面臨的壓力正發(fā)生結構性變化。傳統(tǒng)服務器 DRAM（如 RDIMM）側重高容量與長期運行穩(wěn)定性，而 AI 服務器更需要解決三大核心矛盾：超大模型與內存帶寬的瓶頸、高算力與功耗的沖突、高密度部署與散熱空間的限制。

AI 推理與訓練需要海量數(shù)據(jù)實時吞吐，HBM 雖以超高帶寬見長，但成本居高不下。AI 服務器需要兼顧成本與性能，要求 DRAM 具備更高的帶寬密度，同時也需要更大容量以支撐大規(guī)模并行數(shù)據(jù)處理。在當前千億級參數(shù)、數(shù)萬 token 長序列推理場景中，大模型的 KV 緩存容量呈線性增長，需求甚至遠超模型參數(shù)本身。這種內存瓶頸直接導致 GPU 計算單元頻繁等待數(shù)據(jù)，嚴重制約 AI 服務的響應速度與并發(fā)處理能力。

除計算效率外，極低功耗與散熱效率同樣關鍵。AI 數(shù)據(jù)中心能耗在全球電力消耗中的占比持續(xù)攀升，內存作為系統(tǒng)主要能耗來源之一，需要通過工藝優(yōu)化與架構創(chuàng)新降低功耗，并改善散熱設計。同時，在機架功率密度不斷提升的趨勢下，內存模塊物理尺寸也直接影響服務器部署密度。

SOCAMM2 的技術特性與創(chuàng)新突破

SK 海力士此次量產(chǎn)的 192GB SOCAMM2，精準匹配了這一需求變化，實現(xiàn)了移動內存技術基因與服務器場景需求的深度融合。

SOCAMM2 基于 LPDDR5X 超高帶寬特性，采用第六代 LPDDR5X 標準，帶寬較傳統(tǒng) RDIMM 提升逾兩倍，可滿足 AI 推理中密集的數(shù)據(jù)訪問需求。LPDDR5X 是 JEDEC 于 2021 年 7 月發(fā)布的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內存標準，作為 LPDDR5 的增強版本，最高傳輸速率達 10.7Gbps，能效較前代提升約 25%，已廣泛應用于旗艦智能手機、高性能 PC、服務器及汽車電子等領域。在 AI 服務器領域，SOCAMM2 的核心創(chuàng)新在于將移動端低功耗優(yōu)勢與服務器性能需求相結合，為行業(yè)提供了更具性價比的內存方案。

SK海力士 SOCAMM2 單條 192GB 容量已經(jīng)突破了傳統(tǒng)移動端內存上限，10 納米級（1c）工藝大幅提升存儲密度，降低單位容量成本。同時，先進制程有效減少漏電流，進一步優(yōu)化功耗。該工藝技術早已完成驗證：2024 年，SK 海力士已宣布成功開發(fā)全球首款第六代 10 納米級 DDR5 DRAM。據(jù)當時官方信息，SK 海力士在高性能 1b 工藝平臺基礎上，高效開發(fā)出 1c 工藝，通過新材料應用與 EUV 工藝優(yōu)化保障成本競爭力，能效提升可幫助數(shù)據(jù)中心節(jié)省 30% 以上電費。

SK 海力士技術團隊認為，1c 工藝不僅可減少先進工藝開發(fā)中的試錯成本，還能高效繼承其 1b 工藝在高性能 DRAM 領域的既有優(yōu)勢。SK 海力士 DRAM 開發(fā)擔當副社長金鍾煥當時表示：“1c 工藝技術兼?zhèn)渥罡咝阅芎统杀靖偁幜Γ緦⑵鋺糜谛乱淮?HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先進 DRAM 主力產(chǎn)品群，為客戶提供差異化價值。未來公司也將堅守 DRAM 市場領導力，鞏固作為 AI 存儲解決方案最受信賴企業(yè)的地位?！?br />
SOCAMM2 另一大創(chuàng)新在于模塊設計，實現(xiàn) 192GB 容量與 “薄型可擴展” 架構的融合。傳統(tǒng) RDIMM 通過在內存控制器與 DRAM 芯片之間增加寄存器（Register）或時鐘緩沖器（Buffer）提升穩(wěn)定性，多用于通用服務器與工作站。而 SOCAMM2 是專為 AI 數(shù)據(jù)中心與高性能計算設計的新型內存模塊標準，由 NVIDIA 主導定義，聯(lián)合美光、三星、SK 海力士等存儲廠商共同推進。

SOCAMM2 結合了 LPDDR 技術優(yōu)勢與模塊化、可插拔設計，可提供更高帶寬、更佳能效和更靈活的系統(tǒng)集成，助力 AI 服務器實現(xiàn)更高效率與可擴展性。該方案提供可更換的模塊化內存形態(tài)，同時兼顧 LPDDR 能效優(yōu)勢與傳統(tǒng)內存模塊的可維護性。

與傳統(tǒng)板載焊接 LPDDR 方案不同，SOCAMM2 允許 AI 服務器在不修改主板的情況下，通過升級或更換模塊擴展內存容量與性能，簡化服務器生命周期管理與日常維護。通過降低內存運維復雜度與系統(tǒng)中斷風險，SOCAMM2 有助于減少服務器停機時間，延長現(xiàn)有平臺使用壽命，讓 LPDDR 級高能效進入緊湊模塊化形態(tài)，更好地適配持續(xù)演進的 AI 負載。

目前，三星、SK 海力士、美光均在積極布局 SOCAMM2。三星方面正擴大與全球 AI 廠商的合作，加速基于 LPDDR 的服務器解決方案普及，以應對服務器市場日益增長的低功耗內存需求。三星尤其與 NVIDIA 緊密協(xié)作，通過持續(xù)技術優(yōu)化，使 SOCAMM2 更好適配 NVIDIA 加速計算基礎設施，滿足下一代推理平臺對高響應速度與高能效的要求。

美光方面，根據(jù)其官方發(fā)布，美光 SOCAMM2 是較早采用 LPDDR5X 的數(shù)據(jù)中心級模塊化產(chǎn)品。2026 年 3 月 3 日，美光宣布向客戶送樣業(yè)界容量最高的 LPDRAM 模塊 ——256GB SOCAMM2，容量較此前 192GB 規(guī)格提升三分之一，可為單顆 8 通道 CPU 提供 2TB LPDRAM，支撐更大上下文窗口與復雜推理負載。相較同級別 RDIMM，美光 SOCAMM2 功耗僅約其三分之一，占用空間更小，可提升機架密度并降低總體擁有成本（TCO）。在統(tǒng)一內存架構下，用于 KV 緩存卸載時，256GB SOCAMMM2 可將長上下文實時 LLM 推理的首 token 時延提升 2.3 倍以上。

AI 服務器低功耗 DRAM 的發(fā)展趨勢

將移動端 LPDDR 技術遷移至服務器環(huán)境，并非簡單移植，而是需要克服一系列嚴苛挑戰(zhàn)。SK 海力士通過系統(tǒng)性方案創(chuàng)新，才最終實現(xiàn) SOCAMM2 量產(chǎn)。其中最突出的是翹曲控制問題：SOCAMM2 采用多芯片堆疊（MCP）封裝，硅、PCB、封裝樹脂等不同材料熱膨脹系數(shù)差異較大，高溫焊接時易出現(xiàn)翹曲變形，直接影響良率與長期可靠性。此外，在信號完整性方面，9.6Gbps~10.7Gbps 的高速傳輸會加劇信號衰減與串擾，壓縮式連接器的接觸穩(wěn)定性也成為關鍵技術難點。

SOCAMM2 的量產(chǎn)，只是 AI 服務器低功耗 DRAM 發(fā)展的起點，未來該領域將呈現(xiàn)清晰的技術演進趨勢。容量與帶寬競爭已全面展開：美光已推出 256GB SOCAMM2，容量較 SK 海力士當前量產(chǎn)產(chǎn)品提升 33%；同時 LPDDR6 技術加速成熟，傳輸速率預計可達 14.4Gbps，相較 LPDDR5X 提升約 50%。

除技術競爭外，市場影響也已顯現(xiàn)。市場研究機構 Counterpoint Research 曾在報告中指出，英偉達在 AI 服務器中采用智能手機領域低功耗內存的做法，或推動服務器內存價格在 2026 年底前大幅上漲。這一趨勢已逐步兌現(xiàn)：目前大量 LPDDR5X 產(chǎn)能向 AI 領域傾斜，已對智能手機端內存供應造成明顯影響。

結語

總而言之，SK 海力士 192GB SOCAMM2 的量產(chǎn)，本質上反映了 AI 基礎設施建設思路的轉變 —— 從單純追求算力密度，轉向算力與能效的平衡優(yōu)化。未來，低功耗內存將與 HBM 形成互補格局：HBM 聚焦極致帶寬的 AI 訓練場景，SOCAMM2 則主導高能效比的推理市場，二者共同構建大模型時代的內存基石，推動 AI 技術更廣泛地融入產(chǎn)業(yè)與日常生活。