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利用太陽輻射直接修復(fù)富鋰富錳正極!

清新電源 ? 來源:清新電源 ? 2024-03-11 09:12 ? 次閱讀
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研究背景

富鋰(Li)和富錳(Mn)層狀氧化物材料(LMRO)因其高能量密度而被認為是最有前途的下一代電池正極材料之一。然而,循環(huán)過程中晶格氧的氧化還原導(dǎo)致局部缺陷的形成,以表面氣體釋放的形式出現(xiàn)氧損失,以及過度金屬(TMs)的遷移,導(dǎo)致初始庫侖效率低、容量快速衰減和電壓衰減。所有這些改性策略都是為了突破電化學(xué)性能的極限,但很少有研究考慮后處理過程,如循環(huán)LMRO的修復(fù)或再生。簡單的熱處理,會導(dǎo)致嚴重的TM遷移,并導(dǎo)致層狀結(jié)構(gòu)緩慢松弛/坍塌到巖鹽相,因為循環(huán)的LMRO是一種亞穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)。相比之下,集中光的集中太陽輻射(CSR)可以在短時間內(nèi)提供超強輻射和超高溫,為有限的副反應(yīng)修復(fù)消耗的LMRO提供了有效的能量。與傳統(tǒng)的熱退火相比,CSR具有光催化和光熱相結(jié)合的優(yōu)點。

成果簡介

近日,川大何欣&南科大林苑菁&浙大陸俊團隊利用CSR工藝直接、有效地修復(fù)了降解的LMRO材料。由于TMs和O-陰離子的氧化還原活性的重新激活,修復(fù)后的電極的放電容量成功地恢復(fù)到原來的水平。該工作以“Efficient direct repairing of lithium- and

manganese-rich cathodes by concentrated solar radiation”為題發(fā)表在Nature Communication上。

研究亮點

LMRO-50C的表面主要由LiMn2O4和MnO2構(gòu)成,它們可以吸收從紫外到紅外線波長的輻射,產(chǎn)生空穴-電子對。因此,它們作為產(chǎn)生空穴的誘導(dǎo)層,實現(xiàn)在晶格中的轉(zhuǎn)移。

此外,電化學(xué)循環(huán)在LMRO-50C中形成的氧空位可以有效地減輕空穴-電子對的重組,促進空穴轉(zhuǎn)移到粒子內(nèi)部。

3.CSR還顯著抑制了快速容量衰落和電壓衰減。反尖晶石相有效地引入粒子中,形成層狀尖晶石結(jié)構(gòu)共存。這種獨特的結(jié)構(gòu)可以保持相的穩(wěn)定性,降低內(nèi)部應(yīng)變,從而保證了穩(wěn)定的循環(huán)性能。

圖文導(dǎo)讀

太陽光模擬裝置的光路如圖1a所示,光通過特殊的菲涅耳透鏡矩陣集中,在工作平面上提供均勻分布矩陣圖案的集中光點。沿單個聚焦光束垂直方向的光強由光強傳感器測量,以提供輻照度細節(jié)。在CSR過程中,工作平面位于聚焦點以下5 mm的水平平面(圖1a),反應(yīng)點在短時間內(nèi)經(jīng)歷了強輻照和高溫。在CSR過程中,LMRO電極緩慢移動到水平工作平面,經(jīng)歷直接入射和散射光輻射,以及電極內(nèi)的熱傳遞,焦點陣中各焦點的中心溫度設(shè)置為350°C,避免粘合劑和導(dǎo)電炭黑分解。從Li1.014Mn0.56Ni0.15Co0.13O2(LMRO-50C)到Li0.762Mn0.56Ni0.13Co0.11O2(LMRO-50CS),LMRO經(jīng)歷了明顯的鋰離子損失和Ni,Co略有缺失。通過電感耦合等離子體發(fā)射光譜(ICP-OES)定量。SEM圖像(圖1c、d)顯示了CSR處理前后電極的形態(tài)學(xué)變化。經(jīng)過50次循環(huán)后,LMRO粒子被由電化學(xué)分解產(chǎn)物組成的致密的正極-電解質(zhì)界面(CEI)層所覆蓋(圖1c)。CSR處理有效地部分去除CEI層,電極的形態(tài)沒有被破壞。

利用X射線粉末衍射(XRD)測定了LMRO經(jīng)過循環(huán)和CSR處理后的晶體結(jié)構(gòu)演化。原始LMRO(LMRO)、50次循環(huán)后LMRO(LMRO-50C)和修復(fù)LMRO(LMRO-50CS)的晶體結(jié)構(gòu)差異在圖1e的XRD模式中。(003)、(101)和(104)的峰向較低的角度偏移,所有的峰在循環(huán)后都被加寬。衍射峰的位移是由于不可逆的鋰離子損失和新相(如尖晶石相和巖鹽相)的形成引起的。峰的展寬與局部晶格中TMs無序度的增加和疇尺寸的減小有關(guān)。隨著蜂窩狀LiMn6的破壞,20°~25°的特征峰在循環(huán)過程中完全消失。雖然先前的研究已經(jīng)證明,從循環(huán)LMRO材料的高溫復(fù)鋰化中可以恢復(fù)原始的超晶格結(jié)構(gòu),但從LMRO-50CS樣品的XRD模式中沒有觀察到超晶格峰。

然而,(220)特征衍射峰(2Theta=30.5°)的出現(xiàn)表明,CSR過程誘導(dǎo)了大量尖晶石結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生,并伴隨著部分反尖晶石。由于尖晶石LiMn2O4和Li4Mn5O12中Li原子在8a位和Mn原子在16d位的部分占據(jù),在31°左右的(220)衍射峰通常出現(xiàn)弱或掩蔽。在LMRO-50CS樣品中,(220)峰的增強歸因于反尖晶石結(jié)構(gòu)中局部原子的重排,這類似于LiNiVO4,其中V原子占據(jù)晶體結(jié)構(gòu)中的8a位點,Li/Ni原子同樣共享16b位點。在LMRO-50CS的情況下,更高的峰強度對應(yīng)著更多的TM原子遷移8a位,更多的Li原子占據(jù)16d位。根據(jù)這些表征結(jié)果,圖1f所示的示意圖顯示了在電化學(xué)過程和CSR處理后,LMRO的組成變化。

圖1g和圖h中的LMRO-50C和LMRO-50CS的HRTEM圖像,詳細地展示了局部結(jié)構(gòu)的演化。經(jīng)過50次循環(huán)后,由于不可逆的氧釋放和表面重建,在顆粒表面形成尖晶石和巖鹽相(圖1g)。在CSR處理過程中,光催化和光熱效應(yīng)的結(jié)合導(dǎo)致了表面和大塊的大尖晶石疇,從而導(dǎo)致整個粒子的激光尖晶石相共存(圖1h)。盡管粒子的大部分仍然主要由層狀結(jié)構(gòu)構(gòu)成,但尖晶石顆粒的存在和混合相的存在證明了在CSR過程中存在的實質(zhì)性相變。

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圖1. 通過CSR工藝直接修復(fù)電極。a太陽光模擬裝置的光路及焦點處的光強分布示意圖,工作平面的高度(虛線)在焦點以下6 mm。b通過菲涅耳透鏡矩陣集中太陽光進行CSR處理下LMRO電極的真實圖像。LMRO-50C (c)和LMRO-50CS (d).的掃描電鏡圖像e LMRO、LMRO-50C和LMRO-50CS的XRD模式,紅色標記對應(yīng)尖晶石相,紫色標記代表CSR處理后產(chǎn)生的反尖晶石相。f電化學(xué)循環(huán)和CSR處理后相應(yīng)相的組成變化示意圖。LMRO-50C (g)和LMRO-50CS (h)的HRTEM圖像,以及相應(yīng)的快速傅里葉變換(FFT)模式。下標字符S表示尖晶石相,R表示層狀相。

在CSR過程中,粒子表面的化學(xué)成分和元素價態(tài)經(jīng)歷了顯著的演化。采用各種表面檢測技術(shù)來詳細探索粒子表面的演化。為了闡明CSR過程中CEI層的反應(yīng)機理,我們在LMRO、LMRO-50C和LMRO-50CS電極上收集了x射線光電子光譜(XPS)光譜,如圖2a-d所示。三個樣品在284.8 eV處都有一個較強的C-C峰,這是由于電極中的導(dǎo)電炭黑(Super-P)引起的結(jié)果。LMRO-50C樣品顯示更強的C-O和C=O峰值在286.6eV和288.8eV,和533.6eV和532.6eV 的O1光譜與LMRO相比,屬性有機組件ROCO2-LiR-CFx,和R-COxFy,聚碳酸酯在CEI層形成。在F 1 s光譜中,一個相對較高的在LMRO-50C表面觀察到無機成分(686.8 eV)、LixPOyFz(685.6 eV)和氟化鋰(684.7 eV),這歸因于LiPF6鹽的分解。氟化鋰(55.8 eV)和Li2CO3(55.2 eV)在CEI中的富集也出現(xiàn)在Li 1 s譜中,這與之前的報告的結(jié)果一致。與LMRO-50C相比,在LMRO-50CS樣品中,C 1 s和O 1 s光譜中觀察到的C-O和C=O峰幾乎消失。這種消失歸因于在CSR過程中由局部高溫引起的CEI中有機組分的分解。值得注意的是,由于這些無機組分的熱穩(wěn)定性較好,因此在CEI層中,代表無機組分的峰并沒有發(fā)生明顯的變化。因此,LMRO-50CS樣品的CEI層中富含氟化鋰、Li2CO3、LixPFy和LixPOyFz等無機組分,有助于改善修復(fù)材料的循環(huán)穩(wěn)定性。

TMs陽離子和O陰離子的氧化態(tài)揭示了不同狀態(tài)下電極表面的重構(gòu),如圖2e-h所示。軟x射線吸收光譜(sXAS)光譜采集自LMRO、LMRO-50C和LMRO-50CS樣品。經(jīng)過50個循環(huán)后,Mn L3邊和Co L3邊的低能肩(峰i)的出現(xiàn)都顯著增加,表明TM3d與更高的占有率結(jié)合,并且在循環(huán)時出現(xiàn)了Mn2+和Co2+。隨著循環(huán)電極的進一步CSR處理,LMRO-50CS的Mn L3邊緣的峰i大大減少,而峰iii顯著增強,并向較高的能量區(qū)域略有移動,顯示出與二氧化錳相似的線形。這表明,在CSR處理過程中,錳被氧化為四價物,并伴隨著鋰離子的萃取。對于Co L3邊,峰i的減少與峰ii的高能位移有關(guān),表明Co的氧化。與Mn和Co的氧化不同,由于Ni的氧化電位位于LMRO-50C之外,導(dǎo)致與原始態(tài)和LMRO-50C樣品相同的價態(tài),Ni即使在CSR過程后仍保持二價。

一般來說,O K邊的前邊緣譜的強度和線形以未占據(jù)的TM3d-O2p雜化態(tài)的密度為主,寬鍵分別對應(yīng)于TM4sp和O2p的雜化。圖2f所示的LMRO的OK邊譜與二氧化錳非常相似,具有較強的前邊峰,這是由于錳濃度高和Mn4+中有大量未被占用的三維軌道。經(jīng)過50個循環(huán)后,峰值強度的變化可以從兩個方面來解釋:一是循環(huán)過程中Mn/Ni的還原和表面尖晶石/石鹽相的形成。其次,電解質(zhì)過程中分解形成含氧副產(chǎn)物(如氧化鋰、Li2CO3、氫氧化鋰、RO-Li和ROCO2-Li)。在這些含氧的副產(chǎn)物中,沒有可用的軌道與O2p軌道雜交,從而產(chǎn)生較弱的邊緣前峰特征。

此外,在536 eV左右的強峰代表了粒子表面CEI成分的存在。值得注意的是,CSR處理后的前邊緣模式與TM-O的雜交和表面副產(chǎn)物的分解密切相關(guān)。同時,電子從Mn和Co的三維軌道上去除,并導(dǎo)致其氧化。錳和鈷的氧化為電子的轉(zhuǎn)移提供了驅(qū)動力,O2p到TM波段來補償電荷的不平衡,這導(dǎo)致了前邊緣峰的增加。536 eV時峰值強度的下降是由于CSR處理過程中副產(chǎn)物的分解,這與之前的SEM圖像(圖1d)和XPS光譜(圖2a-d)的結(jié)果一致。雖然CSR過程的工作溫度已經(jīng)接近了PVDF的分解溫度,但由于快速處理,PVDF粘結(jié)劑的分解受到了限制。XPS的結(jié)果也證實了這一點,其中LMRO-50CS樣品在F 1 s光譜中,在688 eV處仍有一個很強的PVDF代表性峰(圖2c)。

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圖2. 表面成分從LMRO到LMRO-50C到LMRO-50CS的演變。LMRO、LMRO-50C和LMRO-50CS樣品的C 1s (a)、O 1s (b)、F 1s (c)和Li 1s (d)的XPS光譜。在總電子產(chǎn)率(TEY)模式下收集的Mn L邊(e)、Co L邊(f)、Ni L邊(g)和O K邊(h)的sXAS模式。

LMRO及其回收電極的電化學(xué)性能如圖3所示。在C/2(1C=250mAhg?1)下進行50次循環(huán)后,常規(guī)LMRO的容量降低到220mAhg?1,并在循環(huán)過程中繼續(xù)下降。當在循環(huán)電極上直接使用CSR處理時,所輸送的放電容量恢復(fù)到273mAhg?1,有效地緩解了衰落趨勢。然而,從LMRO-50CS樣品中也可以觀察到一個不尋常的初始循環(huán)循環(huán)效率,這與修復(fù)后的Li0.762Mn0.56Ni0.13Co0.11O2中較低的Li含量相對應(yīng)。由于晶體結(jié)構(gòu)中存在大量的鋰空位,鋰離子可以在隨后的放電過程中重新插入。在第二個循環(huán)中,充電容量達到273mAhg?1,分別在3.0-3.3V和2.9-2.6V的電壓范圍內(nèi)出現(xiàn)了一個長長的氧化還原平臺。這種低電位平臺對應(yīng)于3.0V的氧化峰和2.8V的還原峰,這通常與在LMRO材料中引入尖晶石相有關(guān)。LMRO-50CS在循環(huán)過程中的壓降可以忽略不計,并且在100次循環(huán)后具有高容量保留(圖3c)。由于容量快速的衰減和電壓的衰減得到了緩解,在長時間循環(huán)中,LMRO-50CS可以保持比LMRO更高的能量密度。LMRO和LMRO-50CS的倍率性能比較如圖3d。LMRO-50CS在1C之前提供了更高的放電能力,但在高倍率下略低。

第一次充放電過程中獲得的非原位XRD(sXRD)譜如圖3e所示,(003)峰的位移與晶格c的收縮和膨脹有關(guān),是由脫鋰和鋰化過程引起的。由于尖晶石相干結(jié)構(gòu)的存在,LMRO-50CS樣品顯著抑制了(003)位移,有效地抑制了結(jié)構(gòu)畸變,保持了晶格的穩(wěn)定性,從而提高了循環(huán)過程中的容量穩(wěn)定性和電壓穩(wěn)定性。此外,(220)峰的弱但高度可逆的變化代表了反尖晶石相的強活性。因此,電化學(xué)過程是在多相氧化還原反應(yīng)的混合物下進行的。

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圖3. 電化學(xué)性能和非原位sXRD測量。LMRO-50C (a)和LMRO-50CS (b)電極的充放電曲線。LMRO和LMRO-50CS的C/2 (c)下的循環(huán)性能和倍率性能(d)。e LMRO-50C和LMRO-50CS樣品在代表性電壓下的非原位sXRD,放大圖范圍在2Theta=17.5-20°和25-35°范圍內(nèi)。a-c中的(CC)表示充電狀態(tài),(DC)表示放電狀態(tài)。

為了進一步研究電荷補償?shù)亩勘碚?,采用sXAS在總電電子產(chǎn)量(TEY)和總熒光電電子產(chǎn)量(TFY)模式下測量了電極中TMs的L邊(如圖4a-c所示)。顯著的模式變化表明氧化還原偶從LMRO-50C到LMRO-50CS的嚴重進化。結(jié)合光譜變化和擬合結(jié)果,在第50個循環(huán)中,定量的氧化還原偶數(shù)分別為Mn3.33+/Mn2.77+、Co3.64+/Co2.88+和Ni2.69+/Ni2.14+,如圖4d所示。在電化學(xué)循環(huán)過程中,Ni的活性降低,而Mn的貢獻顯著增強。Ni氧化還原的較低容量貢獻可歸因于Ni離子從體向表面遷移和在電解質(zhì)中溶解。此外,Ni的還原導(dǎo)致更多的Mn和Co的活化,導(dǎo)致循環(huán)過程中電壓逐漸下降。

由于經(jīng)過CSR處理后,Mn被氧化至4+,當電壓達到4.8 V時,LMRO-50CS樣品中Mn沒有進一步的氧化。值得注意的是,Co和Ni都沒有被氧化為四價物,這與層狀LMRO在初始循環(huán)中的氧化能力不同。在放電過程中,Ni降低到2+,但Co和Mn降低到比原始水平低得多的水平。當放電到2.0V時,Mn L3邊緣的峰ii和峰iii消失,光譜的形狀與Mn2+的參考光譜高度一致,這表明幾乎所有的Mn4+都被還原為Mn2+。在放電過程中,Co的特征峰隨著光譜形狀的變化而向較低的能量范圍移動,特別是在3.2V~2.0V的低壓范圍內(nèi),在表面有更多的Co3+被還原為Co2+。由此可見,Ni3+/Ni4+、Ni2+/Ni3+和Co3+/Co4+氧化還原主要負責高壓斜率(4.8V-4.0V)的反應(yīng),而Co2+/Co3+和Mn2+/Mn4+氧化還原參與LMRO-50CS從3.2V~2.5V的放電。

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圖4. TMs的氧化狀態(tài)定量分析。a-c在代表電極的TMs(Mn、Co、Ni)-L3邊緣TEY(實線)和TFY(虛線)光譜。XAS光譜按最高峰與背景線之間的高度進行歸一化處理。d根據(jù)光譜中價分布的擬合結(jié)果,確定每個TM的量化平均氧化態(tài)。(CC)表示充電狀態(tài),(DC)表示放電狀態(tài),(CSR)表示CSR處理后的樣品。

除了TMs的關(guān)鍵作用外,O-陰離子在LMRO-50CS中的貢獻在電荷補償中也具有很高的相關(guān)性。CSR處理前后粒子橫截面的高角環(huán)形暗場掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)圖像及相應(yīng)的EELS圖像如圖5a和b所示。通過LMRO-50C材料的粒子,可以觀察到明顯的峰前特征轉(zhuǎn)變,前峰的強度從體積到表面逐漸減弱,最終在梯度深度為20 nm的表面處消失。然而,LMRO-50CS粒子的弱O-峰前區(qū)域進一步擴大,并在體積中出現(xiàn)了一個間隔。O前峰的減弱與O空位的形成密切相關(guān)。由此可見,可以得出結(jié)論,CSR過程形成了大量的O空位。氧空位的引入會降低O2P帶的DOS,并降低TM-O鍵的共價性,從而增強了電荷補償過程中晶格氧氧化還原的可逆性。

為了量化氧的性能,利用共振非彈性x射線散射(mRIXS)技術(shù)在相同的激發(fā)能范圍內(nèi)區(qū)分固有的氧氧化還原特征和強TM-O雜化特征。在530.5-531.5 eV的激發(fā)能范圍內(nèi),所選區(qū)域的mRIXS圖如圖5c所示。當電極充電到4.8V時,在525eV發(fā)射能量左右的垂直和寬雜化特征進一步變寬,在531eV激發(fā)和523.7eV發(fā)射能量左右出現(xiàn)一個特征,代表氧化氧的出現(xiàn)。從LMRO-50C充電4.8 V、LMRO-50CS充電4.8 V和放電3.2 V的樣品中可以識別出氧化晶格氧的特征。為了詳細分析,綜合mRIXS強度如圖5d所示。在523-525 eV發(fā)射范圍內(nèi)的峰值可以直接和定量地表示晶格氧氧化。從圖5c的mRIXS數(shù)據(jù)和圖5d的綜合數(shù)據(jù)可以看出,LMRO-50C樣品充電至4.8 V,放電至2.0 V時出現(xiàn)晶格氧氧化的特征信號。結(jié)果表明,晶格氧在50次循環(huán)后,雖然其容量貢獻持續(xù)下降,但仍參與電荷補償。在LMRO- 50CS充電過程中,充電至4.4V后開始出現(xiàn)氧氧化特征,在4.8V時出現(xiàn)最強峰值。當放電到3.2 V時,這一特征仍然存在,直到放電到2.8 V時才會湮滅。黃色陰影區(qū)域(圖5d)的定量分析如圖5e所示。經(jīng)過CSR處理后,峰面積的變化范圍有所擴大。這一定量結(jié)果為CSR處理提高高可逆性氧氧化還原活性的假說提供了強有力的證據(jù)。LMRO-50CS的差分電化學(xué)質(zhì)譜(DEMS)與mRIXS的結(jié)果一致,在C/5處的第一次電荷過程中釋放的氧量可以忽略不計。這為晶格氧氧化還原反應(yīng)的高可逆性提供了強有力的證據(jù)。

于這些結(jié)果,我們可以得出結(jié)論,容量的恢復(fù)主要來自于TMs和O-陰離子的氧化還原的再活化。由于價態(tài)的變化與充放電過程中的容量貢獻密切相關(guān),TMs價態(tài)變化的增加是容量恢復(fù)的主要原因,特別是Mn占LMRO中TMs的大多數(shù)。。

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圖5. O-陰離子的統(tǒng)計和詳細表征。LMRO-50C(a)(虛線內(nèi)面積為CEI)和LMRO-50CS (b)沿箭頭方向的HAADF-STEM和EELS O K邊線掃描光譜。c在不同充放電電壓下,LMRO-50CS和LMRO-50CS在531 eV左右繪制的局部mRIXS圖,紅色箭頭表示在531 eV激發(fā)能和523.7 eV發(fā)射能左右出現(xiàn)的氧氧化特征。d特征能量范圍內(nèi)的綜合RIXS強度,從530.5到531.5 eV。e對(d).中黃色陰影區(qū)域的積分面積的量化(CC)表示充電狀態(tài),(DC)表示放電狀態(tài),(CSR)表示CSR處理后的樣品。

經(jīng)過電化學(xué)循環(huán),在粒子表面產(chǎn)生了LiMn2O4和二氧化錳等尖晶石結(jié)構(gòu)。據(jù)報道,LiMn2O4可以對可見光作出反應(yīng)。在光照下,該材料可以被激發(fā)產(chǎn)生微秒壽命的光產(chǎn)生的空穴-電子對,以補償充電過程。此外,還進一步證明了該材料可以響應(yīng)從紫外到紅外線的較長波長,并且在紅光下的響應(yīng)更強。此外,二氧化錳因其環(huán)境友好、成本低、帶隙窄、可被可見光和紅外光激發(fā),是一種廣泛應(yīng)用的光催化劑。因此,LMRO- 50C復(fù)雜的表面結(jié)構(gòu)組成與CSR過程密切相關(guān)。為了更深入地了解CSR過程中的反應(yīng)機理,我們對該材料的光學(xué)性質(zhì)進行了一系列的研究。Tuac圖從紫外線和可見分光光度漫反射光譜(UV-Vis-NIR DRS)圖6a所示,這表明帶隙能量(如)LMRO尖晶石LiMn2O4(LMO)和LMRO-50C分別為1.112 eV,0.836 eV和1.163 eV。通過電化學(xué)莫特-肖特基分析計算得到的平帶勢(Ef)分別為?1.065V(LMRO)、?0.924V(LMO)、?0.792V(LMRO-50C)。因此,LMRO-50C的導(dǎo)通帶電位(ECB)可以估計為2.352 V (vs。Li+ /Li).根據(jù)EVB = ECB+Eg公式,我們可以進一步得到LMRO-50C的價價帶勢(EVB)為3.515V。以上述結(jié)果為基礎(chǔ),電極的相對勢能圖見圖6c,其中Co2+/Co3+和Mn2+/Mn4+氧化還原電位在LMRO-50C的導(dǎo)帶頂部以上,因此可以被氧化,而Ni2+/Ni4+和Co3+/Co4+,O2?/On?在價帶頂部以下,不能被光生空穴氧化。

基于上述結(jié)果,我們提出了一種光催化氧化-還原過程的機理。由電化學(xué)循環(huán)引起的表面尖晶石相(LiMn2O4和二氧化錳)組分吸收光能產(chǎn)生空穴和電子,空穴在晶格中轉(zhuǎn)移,并被相鄰的低價過渡金屬Mn2+、Mn3+和Co2+捕獲,它們分別被氧化為Mn4+和Co3+。當TMs被氧化時,鋰離子從結(jié)構(gòu)中噴射出來,留下鋰空位。在CSR過程產(chǎn)生的熱效應(yīng)下,過渡金屬更容易遷移到Li層中的Li空位,形成不可逆的結(jié)構(gòu)相變。強(220)衍射峰證明了形成的尖晶石具有部分無序的反尖晶石結(jié)構(gòu),其中活性鋰離子占據(jù)了錳的八面體位置。

除了光催化效應(yīng)外,光熱效應(yīng)對材料性能的重要影響也不應(yīng)被忽視。由于CSR處理可以迅速將材料表面加熱到約350°C時,熱量轉(zhuǎn)移到本體中,加劇電化學(xué)循環(huán)產(chǎn)生的裂紋,導(dǎo)致材料沿裂紋的有限分解。在熱效應(yīng)下,缺陷層結(jié)構(gòu)分解為尖晶石、巖鹽、鋰氧化物和氧。各種鋰氧化物和氧被轉(zhuǎn)移到粒子表面,釋放和蒸發(fā)。同時,在300°C以上的高溫下,鋰離子的損失,導(dǎo)致粒子中殘留的過氧基分解,產(chǎn)生氧化物,釋放氧氣,進一步導(dǎo)致尖晶石結(jié)構(gòu)和O空位的形成。

此外,循環(huán)過程中產(chǎn)生的氧空位不僅擴大了光響應(yīng)范圍,還捕獲電子或空穴以促進它們的組合。因此,我們推斷LMRO材料的光修復(fù)性與電極的特殊降解機制有關(guān),它產(chǎn)生了氧空位和一個新的相。我們對初始材料的光處理結(jié)果證實了這一點,它沒有顯示出化學(xué)價態(tài)和電化學(xué)性質(zhì)的顯著變化??紤]到光催化效應(yīng)的特殊性,粒子需要用足夠強度的光照射,并在適當?shù)牟ㄩL下發(fā)生這些CSR反應(yīng)。此外,在長周期后,LMRO樣品中CSR過程的有效修復(fù)性降低。

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圖6. 光催化和光熱耦合效應(yīng)的原理示意圖。(αhν)2vs.hν圖(a)以及LMRO、LMRO-50C、LMO電極的莫特-肖特基曲線(b)。c由(a)和(b).=計算出的不同電極的導(dǎo)帶電位和價帶電位的分布。D CSR過程的反應(yīng)機理圖。

總結(jié)與展望

綜上所述,在本工作中,循環(huán)后的LMRO材料可以通過簡單、快速、綠色的方法(CSR)處理進行有效修復(fù),修復(fù)后的材料具有良好的容量保持率和電壓穩(wěn)定性,探討了容量恢復(fù)的機制,揭示了CSR過程前后電荷補償機制的演變。sXAS和mRIXS結(jié)果表明,在CSR處理過程中,大量的錳被氧化為四價錳,在隨后的充放電過程中,TMs(Mn、Co和Ni)和晶格氧的電荷轉(zhuǎn)移數(shù)都增加,導(dǎo)致容量恢復(fù)。電化學(xué)穩(wěn)定性的改善與兩個因素有關(guān):一是氧化還原偶的Co2+/Co3+和Mn2+/Mn4+和晶格氧氧化還原可逆性的增強,而二是CSR處理后紅部分反尖晶石相干結(jié)構(gòu)的形成。作者進一步證明了CSR對光催化和光熱效應(yīng)的有益反應(yīng)與形成的尖晶石相LiMn2O4和MnO2以及充放電循環(huán)中的氧空位高度相關(guān)。此外,對Co2+/Co3+和Mn2+/Mn4+氧化還原偶的了解將為未來LMRO材料的改性和高能密度電池材料的設(shè)計提供可能。





審核編輯:劉清

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原文標題:川大何欣&南科大林苑菁&浙大陸俊團隊Nature Communications,利用太陽輻射直接修復(fù)富鋰富錳正極!

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