據(jù)路透社報道，三星電子已決定放棄原先一直采用的非導電薄膜 （NCF） 技術，轉而采納其競爭對手SK海力士主導的批量回流模制底部填充 （MR-MUF） 芯片封裝工藝。此外，三星已啟動采購設備以適應MR-MUF技術，并預計最早明年實現(xiàn)HBM3E高端芯片的量產(chǎn)。

就此，知情人士指出，三星此舉體現(xiàn)出該公司提升HBM良率的決心。對此，一家行業(yè)分析機構表示，考慮到AI行業(yè)對HBM3及HBM3E芯片需求日益增長，三星有必要作出調整。

據(jù)了解，目前三星HBM3芯片制造良率約為10%-20%，而SK海力士則接近60%-70%。為滿足市場需求，三星也正積極尋求多種途徑提高HBM芯片產(chǎn)量。

值得一提的是，除了與材料供應商如日本長瀨集團協(xié)商供貨外，三星還計劃在新款HBM芯片中同時運用NCF和MUF兩種技術。但官方表示，其自主研發(fā)的NCF技術仍為HBM產(chǎn)品的“最佳選擇”，將應用于其HBM3E芯片的生產(chǎn)。面對三星的發(fā)展方向，英偉達和長瀨均未予以評論。