據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)擬自三星購(gòu)買(mǎi)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）芯片，此乃AI芯片核心器件之一。而SK海力士已率先啟動(dòng)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。

對(duì)此，英偉達(dá)聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛在加利福尼亞州圣何塞舉辦的大會(huì)上，坦言：“HBM結(jié)構(gòu)相當(dāng)精密且附加價(jià)值極高，我司已在此領(lǐng)域做出大量投資?！彼M(jìn)一步透露，公司正對(duì)三星的HBM芯片進(jìn)行資質(zhì)審核，并將未來(lái)陸續(xù)采用這些產(chǎn)品。

隨著人工智能浪潮席卷而來(lái)，因?yàn)橄噍^于常規(guī)存儲(chǔ)芯片，HBM能帶來(lái)更快的計(jì)算速度，已然成為了其中極為關(guān)鍵的一環(huán)。黃仁勛指出：“HBM無(wú)疑是科技創(chuàng)新的典范?！蓖瑫r(shí)也強(qiáng)調(diào)，由于新型節(jié)能型超算芯片逐漸普及，HBM將有力助推全球?qū)崿F(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。

身為AI芯片市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，SK海力士為英偉達(dá)獨(dú)家供應(yīng)HBM3芯片。盡管未公布新的HBM3E的客戶清單，但有消息稱(chēng)，該新芯片將首先面向英偉達(dá)，應(yīng)用于最新研發(fā)的Blackwell GPU。

三星為緊隨競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手步伐，持續(xù)加大HBM投入力度，其于2023年2月布消息稱(chēng)，成功研制出業(yè)界首款12層堆棧HBM3E DRAM，據(jù)悉，這款產(chǎn)品容量最大。三星方面表示，預(yù)計(jì)上半年正式啟動(dòng)該芯片量產(chǎn)。