電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文 / 吳子鵬）近日，SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）的開發(fā)，并同步進(jìn)入量產(chǎn)階段，成為首家向英偉達(dá)等核心客戶交付 HBM4 的存儲(chǔ)廠商。
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據(jù)悉，SK 海力士 HBM4 內(nèi)存的 I/O 接口位寬為 2048-bit，每個(gè)針腳帶寬達(dá) 10Gbps，因此單顆帶寬可高達(dá) 2.5TB/s。這一里程碑不僅標(biāo)志著 AI 存儲(chǔ)器正式邁入 “2TB/s 帶寬時(shí)代”，更進(jìn)一步鞏固了 SK 海力士在 AI 存儲(chǔ)器市場的絕對領(lǐng)導(dǎo)地位。不過，SK 海力士暫未透露該產(chǎn)品的具體堆疊層數(shù)，業(yè)內(nèi)人士推測其為 12 層結(jié)構(gòu)。
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技術(shù)躍遷：從參數(shù)突破到架構(gòu)革新

HBM作為 AI 芯片的 “神經(jīng)中樞”，其性能直接決定大模型訓(xùn)練與推理的效率。根據(jù) JEDEC（全球半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織）制定的 HBM4 標(biāo)準(zhǔn)，該代內(nèi)存采用 2048 位接口，傳輸速率為 8Gb/s，總帶寬提升至 2TB/s，支持 4/8/12/16 層 DRAM 堆棧設(shè)計(jì)，單堆棧最大容量可達(dá) 64GB。此外，HBM4 的通道數(shù)量從 HBM3 的 16 個(gè)增至 32 個(gè)，同時(shí)引入 0.7V-0.9V VDDQ 電壓與 1.0V-1.05V VDDC 電壓選項(xiàng)以優(yōu)化能效，并搭載 DRFM（定向刷新管理）功能增強(qiáng)數(shù)據(jù)安全性。按照這一標(biāo)準(zhǔn)，HBM4 的總帶寬較上一代 HBM3E 實(shí)現(xiàn) 60% 的跨越式增長。
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而此次 SK 海力士量產(chǎn)的 HBM4，每針腳帶寬達(dá)到 10Gbps，遠(yuǎn)超 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的 8Gbps 上限。這不僅意味著數(shù)據(jù)處理速度的飛躍，更將為 AI 應(yīng)用帶來革命性變革。SK 海力士預(yù)測，HBM4 在 AI 系統(tǒng)中的應(yīng)用可使服務(wù)性能最高提升 69%，有效解決數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)傳輸瓶頸問題。
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在研發(fā)過程中，SK 海力士采用了兩項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)：自主開發(fā)的 MR-MUF（批量回流模塑底部填充）封裝技術(shù)，以及第五代 10nm 級（1b）DRAM 工藝。其中，MR-MUF 技術(shù)在堆疊半導(dǎo)體芯片后，通過填充液體保護(hù)材料并使其固化，既能提高生產(chǎn)效率與散熱效果，又能有效控制芯片翹曲現(xiàn)象；相比傳統(tǒng) “每堆疊一顆芯片就鋪設(shè)一層薄膜材料” 的工藝，該技術(shù)顯著提升了產(chǎn)品穩(wěn)定性。
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配合第五代 10nm 級（1b）DRAM 工藝，SK 海力士的 HBM4 在性能提升的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了 40% 的能效優(yōu)化，為數(shù)據(jù)中心大幅降低功耗與散熱成本。
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此次量產(chǎn)的 HBM4 單顆容量達(dá) 36GB，采用 24Gb DRAM 顆粒，已通過英偉達(dá)下一代 GPU 平臺(tái) “Vera Rubin” 的認(rèn)證，預(yù)計(jì)將于 2025 年底前實(shí)現(xiàn)規(guī)模化出貨。若業(yè)內(nèi)推測屬實(shí)，此次量產(chǎn)的為 12 層堆棧（12Hi）版本；更高端的 16 層堆棧（16Hi）版本容量將擴(kuò)展至 64GB，計(jì)劃于 2026 年量產(chǎn)，主要面向英偉達(dá) Rubin Ultra 等高端 AI 加速器平臺(tái)。
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從市場格局來看，當(dāng)前 SK 海力士在全球 HBM 市場的份額已超 70%；2025 年第一季度，其 DRAM 市占率更以 36.7% 首次超越三星，終結(jié)了三星長達(dá) 30 年的 DRAM 市場霸主地位。隨著 HBM4 的量產(chǎn)，SK 海力士不僅在技術(shù)上領(lǐng)先三星、美光一個(gè)梯隊(duì)，更通過鎖定英偉達(dá)等核心客戶，提前占據(jù) 2026 年 AI 高端存儲(chǔ)市場的先發(fā)優(yōu)勢。
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行業(yè)重構(gòu)：算力革命與地緣競合

在 AI 算力基礎(chǔ)設(shè)施中，HBM 性能直接決定 AI 芯片運(yùn)算效率的天花板。在傳統(tǒng) GDDR 內(nèi)存架構(gòu)下，數(shù)據(jù)傳輸能耗占系統(tǒng)總功耗的 60% 以上，已成為制約大模型訓(xùn)練效率的 “內(nèi)存墻”；而 HBM 通過 3D 堆疊技術(shù)與硅通孔（TSV）工藝，實(shí)現(xiàn)了帶寬與能效的雙重突破，完美契合 AI 算力的核心需求。
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與傳統(tǒng)內(nèi)存相比，HBM 通過垂直堆疊 8-16 層 DRAM 芯片，在相同體積下實(shí)現(xiàn)了數(shù)倍于 GDDR 的帶寬密度；對于并行計(jì)算需求強(qiáng)烈的 AI 訓(xùn)練場景，HBM 的多通道架構(gòu)能顯著降低數(shù)據(jù)延遲，提升 GPU 利用率。HBM4 的量產(chǎn)，標(biāo)志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式進(jìn)入 “內(nèi)存即戰(zhàn)略資產(chǎn)” 的新時(shí)代 —— 在 AI 算力需求每 3-4 個(gè)月翻一番的 “新摩爾定律” 范式下，HBM4 憑借 2.5TB/s 的帶寬與 64GB 的容量，將直接縮短大模型訓(xùn)練周期，降低生成式 AI 的應(yīng)用門檻。
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技術(shù)路線的分化正重塑全球 HBM 產(chǎn)業(yè)生態(tài)：SK 海力士選擇與臺(tái)積電合作優(yōu)化 CoWoS 封裝技術(shù)，三星依托自身存儲(chǔ)與代工業(yè)務(wù)協(xié)同開發(fā) “X-Cube” 3D 集成技術(shù)，美光則側(cè)重 HBM4E 的定制化邏輯基底選項(xiàng)。這種技術(shù)路線的競爭不僅決定企業(yè)自身的市場地位，更將影響全球 AI 產(chǎn)業(yè)鏈的格局 —— 采用不同 HBM 技術(shù)的 AI 芯片將形成差異化性能表現(xiàn)，進(jìn)而引導(dǎo)下游應(yīng)用場景的發(fā)展方向。
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地緣政治因素為 HBM 競爭增添了復(fù)雜變量：SK 海力士推進(jìn)韓國本土與美國工廠的擴(kuò)建計(jì)劃，三星恢復(fù)平澤第五工廠建設(shè)，美光加碼新加坡工廠投資，三者共同構(gòu)成了 HBM 產(chǎn)能的全球布局。在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈重構(gòu)的背景下，HBM 作為 AI 基礎(chǔ)設(shè)施的核心組件，已成為各國科技競爭的戰(zhàn)略要地，這也讓國內(nèi)行業(yè)對國產(chǎn) HBM 的進(jìn)展更為關(guān)注。
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當(dāng)前，國內(nèi)大模型研發(fā)正面臨嚴(yán)峻的算力瓶頸，而 HBM 短缺是核心癥結(jié)之一。訓(xùn)練一個(gè)千億參數(shù)的大模型需萬卡級 GPU 集群支撐，單臺(tái) AI 服務(wù)器的 HBM 容量已從早期的 40GB 躍升至 80GB、140GB。一方面，國內(nèi)在高端算力卡采購上受限，現(xiàn)有算力儲(chǔ)備難以滿足需求；更嚴(yán)峻的是，美國對 HBM 相關(guān)設(shè)備的出口管制已形成 “技術(shù)陷阱”—— 允許出口降級版 AI 芯片，卻限制高端 HBM 供應(yīng)，直接導(dǎo)致國產(chǎn) AI 芯片性能落后國際領(lǐng)先水平至少 2-3 代，嚴(yán)重制約國內(nèi) AI 算力基礎(chǔ)設(shè)施的升級步伐。
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不過，國產(chǎn) HBM 的替代進(jìn)程雖任重道遠(yuǎn)，但已取得階段性進(jìn)展。根據(jù)東方證券此前報(bào)道，長鑫存儲(chǔ)今年將在去年大幅增產(chǎn)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)近 50% 的產(chǎn)能同比增長；到 2025 年末，長鑫存儲(chǔ)按比特出貨量計(jì)的市占率將從 2025 年一季度的 6% 提升至 8%，其 DDR5/LPDDR5 產(chǎn)品的市場份額預(yù)計(jì)將從一季度的 1% 左右，分別提升至 7% 和 9%。先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)能的擴(kuò)充，以及國產(chǎn) HBM 產(chǎn)品逐步進(jìn)入量產(chǎn)階段，將持續(xù)利好上游設(shè)備與材料環(huán)節(jié)。另有消息顯示，長鑫存儲(chǔ)的 HBM3 產(chǎn)品已完成送樣，HBM3E 產(chǎn)品正處于研發(fā)當(dāng)中。
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當(dāng)前，HBM4 的研發(fā)已進(jìn)入全球競爭階段，若國內(nèi)企業(yè)能加速 HBM4 技術(shù)攻關(guān)，將為國產(chǎn)算力水平的提升帶來巨大增益。
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結(jié)語

SK 海力士全球率先量產(chǎn) HBM4，以 2.5TB/s 帶寬突破 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，不僅標(biāo)志著 AI 存儲(chǔ)正式邁入 “2TB/s 時(shí)代”，更將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)推向 “內(nèi)存即戰(zhàn)略資產(chǎn)” 的新階段。從全球競合視角看，SK 海力士的領(lǐng)先并非孤例 —— 三星 “X-Cube” 技術(shù)、美光 HBM4E 定制化路線的追趕，疊加韓、美、新等地的產(chǎn)能布局，讓 HBM 成為各國科技博弈的核心賽道。
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不難看出，HBM 的競爭早已超越 “技術(shù)與產(chǎn)能比拼” 的范疇，本質(zhì)上是全球 AI 產(chǎn)業(yè)話語權(quán)的爭奪；而國產(chǎn) HBM 力量的每一步突破，都將成為重塑這一格局的重要變量。?
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