上海伯東代理日本Atonarp 過程控制質(zhì)譜儀Aston, 通過使用分子傳感技術(shù), 提供半導(dǎo)體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室在大批量生產(chǎn)中的氣體偵測(cè)分析, 實(shí)現(xiàn)尾氣在線監(jiān)控, 診斷, 為半導(dǎo)體過程控制提供解決方案, 提高半導(dǎo)體制造工藝的產(chǎn)量, 吞吐量和效率, 在現(xiàn)有生產(chǎn)工藝工具上加裝 Aston, 可在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)晶圓更高產(chǎn)量!

Atonarp 過程控制質(zhì)譜儀Aston 半導(dǎo)體工藝解決方案案例

保護(hù) CVD 工藝免受干泵故障的影響:

Aston 質(zhì)譜分析儀耐受腐蝕性氣體和氣化污染物冷凝液, 在惡劣的 CVD 環(huán)境中, Aston 利用可操作的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)和防范因 CVD 干泵引起的災(zāi)難性故障.

EUV 極紫外光源鹵化錫原位定量:

EUV 極紫外光刻技術(shù)越來越多地用于支持 <10nm 工藝技術(shù)的關(guān)鍵尺寸圖案形成. 管理這些價(jià)值超過 2億美元光刻機(jī)的正常運(yùn)行時(shí)間和生產(chǎn)量對(duì)晶圓 Fab 廠的經(jīng)濟(jì)至關(guān)重要. Atonarp??Aston 過程質(zhì)譜分析儀通過快速, 可操作, 高靈敏度的分子診斷數(shù)據(jù)盡可能實(shí)現(xiàn)反射板鍍錫層清潔, 并且?Aston 過程質(zhì)譜的實(shí)時(shí)氫氣?H2?監(jiān)測(cè)也降低了每個(gè) EUV 工具的氫氣消耗.

提高 low-k 電介質(zhì)沉積的吞吐量:

沉積晶圓通量是晶圓廠 FAB 效率的關(guān)鍵指標(biāo)之一, 也是晶圓廠 FAB 不斷改進(jìn)以降低每次移動(dòng)成本和減少資本支出的關(guān)鍵指標(biāo). Atonarp Aston 質(zhì)譜儀提供腔室清潔終點(diǎn)檢測(cè)方案已成功應(yīng)用于 low-k 電介質(zhì)沉積應(yīng)用 ( 特別是氮化硅 Si3N4 ), 在減少顆粒污染的同時(shí), 縮短了生產(chǎn)時(shí)間.

對(duì)小開口區(qū)域的蝕刻有最高的靈敏度:

Aston 質(zhì)譜儀 的 OA% 靈敏度顯示為 <0.25%, 其檢測(cè)限比 OES（LOD 約 2.5%）高出一個(gè)數(shù)量級(jí). 此外, Aston內(nèi)部產(chǎn)生的基于等離子體的電離源允許它在存在腐蝕性蝕刻氣體的情況下工作, 無論處理室中是否存在等離子體源.

ALD 工藝控制的原位計(jì)量:

Aston 質(zhì)譜分析儀是一款快速, 強(qiáng)大的化學(xué)特異性氣體質(zhì)譜儀, 提供 ALD 過程控制解決方案, 可在這些非等離子體（“l(fā)ights-off”）過程中提供原位計(jì)量和控制. 它可以實(shí)現(xiàn)快速, 化學(xué)特定的原位定量氣體分析, 低至十億分之幾的水平, 提供 ALD 過程控制所需的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù).

沉積和刻蝕3D NAND 存儲(chǔ)器

3D NAND 工藝通過堆疊存儲(chǔ)單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東 Aston質(zhì)譜分析儀適用于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應(yīng)用中: 實(shí)時(shí)過程氣體監(jiān)控，以驅(qū)動(dòng)自動(dòng)化工具調(diào)整以實(shí)現(xiàn)過程控制, 沉積步驟之間的終點(diǎn)檢測(cè), 實(shí)現(xiàn)層的化學(xué)計(jì)量工程; 蝕刻應(yīng)用中: 以 ppb 為單位測(cè)量的工藝氣體和副產(chǎn)品, 啟用端點(diǎn)腔室清潔.

上海伯東代理日本 Atonarp Aston 質(zhì)譜分析儀提供穩(wěn)健, 量化和實(shí)時(shí)的計(jì)量. 原位量化計(jì)量在關(guān)鍵靈敏度 / 速度指標(biāo)上比其他殘留氣體分析儀優(yōu)于 10 倍至 100 倍, 并具有強(qiáng)大的等離子電離解決方案, Aston能夠處理苛刻的工藝氣體和副產(chǎn)品. 為半導(dǎo)體 Sub-fab 提供安全, 可持續(xù)性和節(jié)約解決方案.

審核編輯：劉清