三星2025年后將首家進(jìn)入3D DRAM內(nèi)存時(shí)代
據(jù)Semiconductor Engineering報(bào)道，三星公司日前宣布，其計(jì)劃于2025年后引領(lǐng)3D DRAM內(nèi)存新時(shí)代。DRAM內(nèi)存領(lǐng)域預(yù)計(jì)將在未來十余年內(nèi)將線寬縮小到10nm級(jí)別。為應(yīng)對(duì)此挑戰(zhàn)，業(yè)內(nèi)正積極研究如3D DRAM等新型內(nèi)存解決方案。
在Memcon 2024上，三星披露了兩款全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用，實(shí)現(xiàn)性能提升；堆棧DRAM則通過空間立體利用，有效提高了儲(chǔ)存容量至100G以上。
根據(jù)預(yù)測，3D DRAM市場規(guī)模有望在2028年達(dá)到1000億美元，這無疑吸引了業(yè)內(nèi)各大廠商的激烈爭奪。為此，三星早前就在美國加州設(shè)立了一家新的3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，以期在這場競爭中占據(jù)領(lǐng)先地位。
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