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美國(guó)BIS更新出口管制新規(guī),強(qiáng)化半導(dǎo)體出口監(jiān)管

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-04-08 09:25 ? 次閱讀
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近期,美國(guó)商務(wù)部針對(duì)半導(dǎo)體出口管制制定出修訂版法規(guī),其中包括加強(qiáng)對(duì)EUV掩膜與刻蝕機(jī)等設(shè)備的生產(chǎn)監(jiān)管,對(duì)中國(guó)澳門(mén)特別行政區(qū)及D:5組地適用“推定拒絕”原則,以及重申AI芯片許可證及例外情形的實(shí)施準(zhǔn)則等內(nèi)容,新規(guī)定預(yù)計(jì)自4月4日起在美國(guó)本土施行,而對(duì)其的評(píng)論意見(jiàn)征集截至日期為4月29日。

據(jù)相關(guān)研究報(bào)告揭示,此次美國(guó)商務(wù)部工業(yè)安全局(簡(jiǎn)稱(chēng)BIS)推出的對(duì)華出口管制變動(dòng)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:

首先,對(duì)EUV掩膜基板追加管制。特別是專(zhuān)供EUV光刻制程之用的掩膜基板現(xiàn)已正式納入出口控制范圍,相關(guān)出口皆需遵循嚴(yán)格的許可要求。

其次,調(diào)整特定區(qū)域出口規(guī)則。針對(duì)中國(guó)澳門(mén)或D:5國(guó)別,所有出口、轉(zhuǎn)運(yùn)乃至境內(nèi)流轉(zhuǎn)行為都需要取得出口許可證,同時(shí)還需嚴(yán)格核查最終用途與最終用戶(hù),實(shí)行“推定拒絕”策略。

再次,明確部分技術(shù)關(guān)鍵指標(biāo)。對(duì)集成電路的“總體處理效能”(TPP)和“性能密度”(PD)給出更為細(xì)致的定義及計(jì)算方式。其中,TPP依據(jù)百萬(wàn)次乘積累加操作每秒(MacTOPS)理論值計(jì)算得出,而性能密度則是TPP除以適用芯片面積所得到的數(shù)值。

第四,增設(shè)整機(jī)產(chǎn)品限制條例。凡計(jì)算機(jī)、電子元件及組件內(nèi)含有超過(guò)特定性能參數(shù)如總處理效能或性能密度的集成電路時(shí),須服從出口管制規(guī)定。

最后,推廣逐個(gè)案件審查策略。對(duì)涉及人工智能等高性能芯片及相關(guān)制造技術(shù)的出口,將嚴(yán)格執(zhí)行“逐案審查”原則,綜合考量技術(shù)水平、客戶(hù)背景、合規(guī)計(jì)劃及合同規(guī)范性等各方面因素。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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