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中芯國際獲“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利?

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-04-19 16:06 ? 次閱讀
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據(jù)悉,中芯國際集成電路制造(上海)有限公司近期獲得一項(xiàng)關(guān)于“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”的專利,專利號為CN111370488B,于2024年4月16日正式生效,其申請日期是2018年12月26日。

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該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法主要包含以下步驟:首先,需制備基底,其中含有器件區(qū)及位于兩側(cè)的隔離區(qū);之后進(jìn)行基底圖案化,制作出襯底及突出于襯底的鰭部;接著,在器件區(qū)兩側(cè)形成突出于隔離區(qū)襯底的第一偽鰭部;最后,在鰭部與第一偽鰭部暴露的襯底上形成隔離層,并覆蓋鰭部部分側(cè)壁。通過這種方式,第一偽鰭部的設(shè)計(jì)能提高各鰭部周邊區(qū)域的圖形密度均勻性,進(jìn)而改善器件區(qū)隔離層的厚度均勻性,同時(shí)降低鰭部彎曲或傾斜的可能性,進(jìn)一步提升半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電氣性能。

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