臺(tái)積電延后1.4nm工廠，優(yōu)先2nm、1.6nm制程
臺(tái)積電決定推遲其位于中國臺(tái)灣中科二期園區(qū)的1.4納米先進(jìn)制程工廠建設(shè)。園區(qū)管理機(jī)構(gòu)4月29日證實(shí)收到了臺(tái)積電發(fā)出的土地交付延期通知，原定于8月交付土地現(xiàn)調(diào)整至年底。盡管建設(shè)工期有所延遲，但新工廠仍將延續(xù)2納米以下的最高制造水平。
臺(tái)積電表示，將繼續(xù)與相關(guān)部門合作推進(jìn)廠房用地事宜。
關(guān)于為何推遲1.4納米工廠建設(shè)，臺(tái)積電供應(yīng)鏈分析認(rèn)為，由于2納米和A16（1.6納米）制程需求旺盛，預(yù)計(jì)分別于2025年和2026年量產(chǎn)，因此臺(tái)積電將優(yōu)先確保這兩種制程的生產(chǎn)。相比之下，1.4納米制程的緊迫性較低。
據(jù)悉，臺(tái)積電中科二期園區(qū)規(guī)劃包括四座2納米及以下制程的頂級(jí)晶圓廠，總投資額預(yù)計(jì)在8000億至1萬億元新臺(tái)幣之間。園區(qū)管理機(jī)構(gòu)表示，中科二期園區(qū)占地89公頃，目前已有107位土地所有者。
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