南京中科微Si24R2F+ 芯片應用原理圖更新
”致各合作伙伴
Si24R2F+ 芯片應用原理圖已更新，請聯(lián)系各地經(jīng)銷商獲取最新資料，盡快更新！
具體更新位置如下，
C1電容值，調(diào)整為 100nF
L3電感值，調(diào)整為3.9nH
C7電容值，調(diào)整為 22nF
優(yōu)化：電池端使用較小儲能電容時，個別芯片會小概率復位和死機。
本次更新后的數(shù)據(jù)手冊版本號為：Si24R2F_Plus_數(shù)據(jù)手冊_V0.8 
#02-其它更新
Si24R2H 更新應用原理圖
注意事項：
① 芯片底部需接地；
② SDA引腳在不使用外部溫度傳感器時，也需接上拉電阻至電源；
③ 重要更新，更新 2.4G部分RF匹配電路， L4電感值從 1nH修改為 3.9nH,C14電容值從 10nF修改為 22nF。修改原因為優(yōu)化頻偏、優(yōu)化125KHz信號對2.4GHz信號的干擾；
④ C7電容值 由 2.2uF修改為 100nF。
多功能應用原理圖
NTC測溫 2.4G(BLE)發(fā)射應用原理圖
2.4G+125K 應用原理圖
本次更新后的數(shù)據(jù)手冊版本號為：Si24R2H_數(shù)據(jù)手冊_V1.7
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原文標題：Si24R2F+ 芯片應用原理圖更新！請聯(lián)系各地經(jīng)銷商獲取最新資料！
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