Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件（SiP）。這兩款新品與去年偉詮電子的旗艦氮化鎵SiP一同，共同構(gòu)成了首個基于Transphorm SuperGaN?平臺的系統(tǒng)級封裝氮化鎵產(chǎn)品系列。
此次合作不僅展現(xiàn)了Transphorm和偉詮電子在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新實力，也標志著氮化鎵功率半導(dǎo)體在系統(tǒng)集成方面邁出了重要一步。該系列產(chǎn)品的推出，將為電子設(shè)備的高效、穩(wěn)定供電提供強有力的支持。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
集成電路
+關(guān)注
關(guān)注
5465文章
12695瀏覽量
375858 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
67文章
1916瀏覽量
120171 -
功率半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
1507瀏覽量
45291
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
內(nèi)置氮化鎵成主流？AHB技術(shù)你又了解多少？
控制器芯片中一個值得關(guān)注的方向
目前東科有著多款內(nèi)置氮化鎵方案的 AHB 控制器，將 GaN 功率器件與控制器進一步整合，有助于簡化外圍設(shè)計、縮短關(guān)鍵回路、優(yōu)化 PCB 空間利用率，同時也更契合消費類
發(fā)表于 04-18 10:35
意法半導(dǎo)體推出四款全新VIPERGAN氮化鎵功率器件
從快充充電器到工業(yè)自動化，氮化鎵正成為高功率密度電源設(shè)計的核心選擇。意法半導(dǎo)體近日推出四款全新VIPERGAN氮化
意法半導(dǎo)體推出氮化鎵功率開關(guān)管半橋模塊MasterGaN6
意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN系列氮化鎵功率開關(guān)管半橋的第二代產(chǎn)品MasterGaN6，該功率系統(tǒng)級
CHA6154-99F三級單片氮化鎵（GaN）中功率放大器
CHA6154-99F三級單片氮化鎵（GaN）中功率放大器CHA6154-99F是United Monolithic Semiconductors (UMS) 推出的一
發(fā)表于 02-04 08:56
是德科技推出兩款新型電動汽車充電測試解決方案
是德科技（NYSE: KEYS ）近日宣布，推出兩款新型電動汽車充電測試解決方案，助力行業(yè)向高功率及兆瓦級充電轉(zhuǎn)型。隨著電氣化進程加速推進，充電應(yīng)用日益復(fù)雜，這些解決方案將幫助制造商和
主要氮化鎵封裝技術(shù)介紹
氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場等優(yōu)異特性，已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費電子快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。在電動汽車領(lǐng)域，GaN
安森美攜手格羅方德開發(fā)下一代氮化鎵功率器件
， 合作將從650V器件開始 。安森美該系列產(chǎn)品將結(jié)合格羅方德200毫米增強型硅基氮化鎵（eMode GaN-on-silicon）工藝，以及自身行業(yè)領(lǐng)先的硅基驅(qū)動器、控制器和強化散熱封裝
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一
發(fā)表于 12-12 09:40
“芯”品發(fā)布｜鎵未來推出“9mΩ”車規(guī)級 GaN FET，打破功率氮化鎵能效天花板！
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級
淺談氮化鎵器件的制造難點
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰(zhàn)。
瑞薩電子推出650伏氮化鎵場效應(yīng)晶體管，推動高效電源轉(zhuǎn)換技術(shù)
在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化
氮化鎵器件在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
納微半導(dǎo)體雙向氮化鎵開關(guān)深度解析
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守！
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的
發(fā)表于 05-19 10:16
評論