在PCB設(shè)計(jì)過程中經(jīng)常會(huì)遇到高多層、高密度的設(shè)計(jì)，那么這種情況下就難免出現(xiàn)跨分割的情況，如下圖所示：

這是一個(gè)HDI的項(xiàng)目，非常的密集，很多點(diǎn)都會(huì)出現(xiàn)跨分割，在設(shè)計(jì)之初，針對DDR3，經(jīng)過仿真之后，覺得問題不大，所以設(shè)計(jì)工程師和我交流的時(shí)候，告訴他沒有問題，結(jié)果一拿過來review的時(shí)候，傻眼。這哪是跨分割，簡直就是分割嘛。來回在gap上繞線或者差分線有一根單線直接布在gap上，十有八九會(huì)造成問題，不是SI的問題，就有可能造成PI的問題，或者EMI的問題。

因?yàn)榭绶指畋旧砭蜁?huì)造成阻抗的不連續(xù)，阻抗不連續(xù)就會(huì)造成反射，反射過大就有可能造成輻射或者干擾，進(jìn)而SSN、串?dāng)_、EMI，等等問題就有可能接踵而至。

那么，如果信號一定要跨分割怎么辦呢？其實(shí)這個(gè)也沒有一個(gè)非常好的辦法，只能說是“壞中選優(yōu)”。比如：最短的距離跨分割、不要在gap上繞線：

另外，縫補(bǔ)電容也是常用的一種手段，即為跨分割的信號提供較短的回流路徑。通常在信號跨分割處擺放一個(gè) 0201 或者 0402大小的瓷片電容，電容的容值在 0.01uF 或者是 0.1 uF，這個(gè)參數(shù)并不是一成不變的，需要根據(jù)信號的頻率的變化而改變。

當(dāng)然，在低速的時(shí)候，在EMI的處理方法上，還可以利用跨接的方式，即在信號線經(jīng)過gap的區(qū)域加一顆0ohm的電阻。

審核編輯：劉清