臺積電近期突然改變態(tài)度，對于采購艾司摩爾高數(shù)值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV）事宜產生濃厚興趣。

此前，該公司首席執(zhí)行官魏哲家曾明確表示，過早引入High-NA EUV并無太大經濟效益，直到日前其秘密訪問ASML總部，使市場猜測臺積電是否因此事發(fā)生重大轉變。

據wccftech等多個科技媒體聯(lián)合報道及韓國商業(yè)情報媒體《Business Korea》的透露，有知情者透露，魏哲家并未出席于23日召開的臺積電2024年技術論壇臺灣場，而是選擇在26日前往ASML荷蘭總部以及工業(yè)激光制造商創(chuàng)浦（TRUMPF）的德國總部進行訪問。

金融分析師丹·奈斯泰德（Dan Nystedt）在28日的文章中指出，臺積電可能已經開始積極尋求購買High-NA EUV設備，原因在于魏哲家的此次行程并非參加臺灣舉辦的技術論壇，而是選擇訪問ASML和創(chuàng)浦這兩家重要的設備供應商。

業(yè)內人士據此推測，臺積電有意購買High-NA EUV設備，因為這種設備對于生產2納米以下芯片至關重要。值得注意的是，ASML已于去年年底向英特爾交付了第一臺High-NA EUV設備。

分析認為，臺積電管理層此次訪問ASML，無疑是為了鞏固其在全球半導體行業(yè)中的領導地位。

按照原計劃，臺積電將在2026年下半年實現(xiàn)1.6納米制程的大規(guī)模量產后，才考慮引進High-NA EUV設備。然而，High-NA EUV設備的價格高達3.8億美元，相當于新臺幣123億元，比現(xiàn)有的EUV設備高出近一倍。

在此背景下，臺積電的主要競爭對手英特爾和三星電子也紛紛采取行動。英特爾希望借助High-NA EUV設備，進一步擴大其在半導體領域的領先優(yōu)勢。

目前，已有多臺High-NA EUV設備被運往英特爾的晶圓代工廠，預計將首先在1.8納米制程上進行測試，然后再逐步推廣至1.4納米制程。

另一方面，三星集團會長李在镕也在今年4月份親自訪問了ASML的關鍵合作伙伴蔡司位于德國的總部，與ASML執(zhí)行長傅凱和蔡司執(zhí)行長蘭普雷希特進行了會面，旨在加強三方在半導體領域的合作關系。