SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高，將集成更多功能
據(jù)5月29日消息，韓國科技巨頭SK海力士有意在HBM4E內(nèi)存中融合更多功能，以推動HBM技術(shù)進入新階段。
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設備，意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品，進而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
據(jù)韓國媒體ETNews報道，此類創(chuàng)新尚處于設想階段，然而SK海力士已開始研發(fā)相關(guān)IP，逐步實現(xiàn)這一愿景。
SK海力士計劃在HBM上集成內(nèi)存控制器，使之位于HBM架構(gòu)的基礎(chǔ)芯片之上，為第七代HBM4E內(nèi)存提供全新計算選項，為多元化HBM應用鋪平道路。
此舉雖可提升性能，滿足未來HBM的多元需求，卻背離了業(yè)界慣常采用的HBM與半導體芯片分離處理策略。
SK海力士計劃將封裝作為一個整體進行處理，既能保證更快的傳輸速度，又因結(jié)構(gòu)間隙大幅減小而提高能效。
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