傳統(tǒng)電力電子應(yīng)用中，IGBT的續(xù)流二極管一般以硅基FRD（快恢復(fù)二極管）為主，而硅基FRD的性能限制了IGBT的開通和關(guān)斷行為的潛力，對(duì)開關(guān)損耗是很大的拖累。為此，基本半導(dǎo)體研發(fā)推出了一種混合式IGBT（即混合碳化硅分立器件）來(lái)解決這一問(wèn)題，即在IGBT中把續(xù)流二極管用碳化硅肖特基二極管替代硅基FRD，可使IGBT的開通與關(guān)斷的潛力得以全部釋放，開關(guān)損耗大幅降低。

今天的“SiC科普小課堂”——混合式IGBT話題第五講中，基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒將從應(yīng)用角度為大家介紹不同拓?fù)渲谢旌鲜絀GBT器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)如何體現(xiàn)，以及基本半導(dǎo)體的產(chǎn)品選型推薦。

基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT，使IGBT的開關(guān)損耗大幅降低，適用于儲(chǔ)能（ESS）、車載充電器（OBC）、不間斷電源（UPS）、光伏組串逆變器等領(lǐng)域。

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審核編輯：劉清