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三菱電機推出兩款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

三菱電機半導體 ? 來源:三菱電機半導體 ? 2024-06-12 14:17 ? 次閱讀
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新品發(fā)布

Unifull 3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

三菱電機集團近日宣布,從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢壘二極管(SBD)嵌入式SiC-MOSFET模塊。與現(xiàn)有的3.3kV/800A模塊一起,新命名的Unifull系列包含3款產(chǎn)品,以滿足大型工業(yè)設備對能夠提高功率輸出和功率轉(zhuǎn)換效率的逆變器日益增長的需求。該產(chǎn)品正在PCIM Europe 2024(6月11-13日,德國紐倫堡)上展出。

為實現(xiàn)脫碳社會,對能夠高效電力變換的功率半導體需求日益增長,尤其是能夠顯著降低功率損耗的SiC功率半導體。大型工業(yè)設備常用功率半導體模塊來實現(xiàn)功率變換,例如牽引驅(qū)動系統(tǒng)和電源、直流輸電等。對于能夠進一步提高功率轉(zhuǎn)換效率并支持不同輸出容量逆變器設計的高功率、高效率SiC模塊的需求尤為強烈。

三菱電機于2024年3月29日發(fā)布了3.3kV/800A SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊,采用優(yōu)化的封裝結構,降低開關損耗并提升SiC性能。與現(xiàn)有的功率模塊相比,Unifull模塊顯著降低了開關損耗,并有助于提高大型工業(yè)設備的功率輸出和效率,使其適用于容量相對較小的軌道車輛和驅(qū)動系統(tǒng)的輔助電源。

產(chǎn) 品 特 點

適用于不同輸出容量的低電流模塊

三菱電機的SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊新增3.3kV/400A和3.3kV/200A低電流版本的兩款產(chǎn)品,與現(xiàn)有3.3kV/800A構成了新的Unifull系列。

新的低電流模塊,適用于鐵路車輛的輔助電源和相對小容量的驅(qū)動系統(tǒng),適用不同功率要求的大型工業(yè)設備,并提高其逆變器功率轉(zhuǎn)換效率,擴大了應用范圍。

內(nèi)置SBD的SiC-MOSFET,有助于實現(xiàn)逆變器的高輸出、高效率和可靠性

采用優(yōu)化封裝結構的SBD嵌入式SiC-MOSFET,與三菱電機現(xiàn)有的全SiC功率模塊*相比,開關損耗降低了約54%,與公司現(xiàn)有的Si功率模塊**相比降低了91%,有助于提高功率輸出和效率。

采用雙極性模式激活(BMA)元胞結構,提高了抗浪涌電流能力,并有助于提高逆變器的可靠性。

*新型3.3kV/400A模塊(FMF400DC-66BEW)與現(xiàn)有全SiC功率模塊(FMF375DC-66A);新型3.3kV/200A模塊(FMF200DC-66BE)與全SiC功率模塊(FMF185DC-66A)的比較

**新型3.3kV/400A模塊(FMF400DC-66BEW)與硅功率模塊(CM450DA-66X)的比較

主要規(guī)格

型號 FMF400DC-66BEW FMF200DC-66BE
額定電壓 3.3kV 3.3kV
額定電流 400A 200A
絕緣電壓 6.0kVrms 6.0kVrms
拓撲 2in1 2in1
尺寸
(長×寬×高)
100×140×40mm 100×140×40mm
發(fā)布日期 2024年6月10日 2024年6月10日

Unifull SBD嵌入式

SiC-MOSFET模塊產(chǎn)品線

型號 FMF800DC-66BEW FMF400DC-66BEW FMF200DC-66BE
額定電壓 3.3kV 3.3kV 3.3kV
額定電流 800A 400A 200A
絕緣電壓 6.0kVrms 6.0kVrms 6.0kVrms
發(fā)布日期 2024年3月29日 2024年6月10日 2024年6月10日

關于三菱電機

三菱電機創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2023年3月31日的財年,集團營收50036億日元(約合美元373億)。作為一家技術主導型企業(yè),三菱電機擁有多項專利技術,并憑借強大的技術實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設備、通信設備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場,三菱電機從事開發(fā)和生產(chǎn)半導體已有68年。其半導體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領域得到了廣泛的應用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:【新品】三菱電機推出兩款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

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