日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

安森美發(fā)布高功率密度IGBT模塊,助力能源系統(tǒng)優(yōu)化

安森美快訊 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-06-12 14:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在智能電源和感知技術(shù)領(lǐng)域,美國(guó)納斯達(dá)克上市的安森美公司(onsemi,股票代碼:ON)再次展現(xiàn)其技術(shù)實(shí)力。近日,該公司正式發(fā)布了第7代1200VQDual3絕緣柵雙極晶體管IGBT功率模塊,標(biāo)志著電力電子領(lǐng)域又一大步的飛躍。

這款最新的QDual3模塊,在功率密度方面實(shí)現(xiàn)了顯著的提升,相較于同類產(chǎn)品,它能夠提供高達(dá)10%的輸出功率增長(zhǎng)。其背后的核心技術(shù)是全新的場(chǎng)截止第7代(FS7)IGBT技術(shù),不僅確保了高效的能量轉(zhuǎn)換,更為用戶帶來了更低的系統(tǒng)成本和更為簡(jiǎn)潔的設(shè)計(jì)。

值得一提的是,當(dāng)QDual3模塊應(yīng)用于150千瓦的逆變器中時(shí),其損耗相較于最接近的競(jìng)品減少了200瓦(W),這意味著散熱器的尺寸可以大幅縮減,從而進(jìn)一步降低了系統(tǒng)的整體成本和維護(hù)難度。

QDual3模塊不僅性能卓越,還具備出色的耐用性。專為惡劣環(huán)境下工作而設(shè)計(jì),它特別適用于大功率變流器,如太陽能發(fā)電站的中央逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、商用農(nóng)業(yè)車輛(CAV)以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。這些應(yīng)用環(huán)境通常對(duì)設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性有著極高的要求,而QDual3模塊無疑能夠勝任這些挑戰(zhàn)。

為了滿足不同用戶的需求,安森美提供了兩種型號(hào)的QDual3模塊:NXH800H120L7QDSG和SNXH800H120L7QDSG。無論是哪種型號(hào),都充分體現(xiàn)了安森美在智能電源和感知技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累和創(chuàng)新能力。未來,我們有理由相信,安森美將繼續(xù)引領(lǐng)電力電子領(lǐng)域的發(fā)展潮流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 安森美
    +關(guān)注

    關(guān)注

    33

    文章

    2172

    瀏覽量

    95858
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1291

    文章

    4454

    瀏覽量

    264583
  • 功率模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    705

    瀏覽量

    47053
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美Si/SiC混合模塊:高效集成的電力解決方案

    安森美Si/SiC混合模塊:高效集成的電力解決方案 在電力電子領(lǐng)域,不斷追求更高效率、更高功率密度和更低損耗的解決方案是工程師們的不懈目標(biāo)。安森美(onsemi)的Si/SiC混合
    的頭像 發(fā)表于 04-27 14:05 ?96次閱讀

    安森美半橋IGBT模塊NXH800H120L7QDSG的技術(shù)剖析

    安森美半橋IGBT模塊NXH800H120L7QDSG的技術(shù)剖析 在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊是至關(guān)重要的
    的頭像 發(fā)表于 04-23 16:20 ?159次閱讀

    安森美AFGHL50T65SQDC混合IGBT深度解析

    安森美AFGHL50T65SQDC混合IGBT深度解析 在電子設(shè)備追求高效、功率密度和可靠性的今天,功率半導(dǎo)體器件的性能對(duì)產(chǎn)品的整體表現(xiàn)起
    的頭像 發(fā)表于 04-23 14:50 ?141次閱讀

    安森美FGA40N65SMD場(chǎng)截止IGBT:性能卓越的功率器件

    安森美FGA40N65SMD場(chǎng)截止IGBT:性能卓越的功率器件 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,功率器件的選擇至關(guān)重要,它直接影響到整個(gè)電路的性能和穩(wěn)定性。今天,我們就來深入了解一下
    的頭像 發(fā)表于 04-23 14:25 ?148次閱讀

    國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)邏輯匹配與系統(tǒng)優(yōu)化

    國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)邏輯匹配與系統(tǒng)優(yōu)化研究報(bào)告 引言與產(chǎn)業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 04-13 11:59 ?2174次閱讀
    國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>替代進(jìn)口<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>的驅(qū)動(dòng)邏輯匹配與<b class='flag-5'>系統(tǒng)</b><b class='flag-5'>優(yōu)化</b>

    安森美助推上能電氣光伏與儲(chǔ)能解決方案升級(jí)

    EliteSiC技術(shù)助力上能電氣提升其功率儲(chǔ)能與光伏逆變器解決方案的能效、功率密度和長(zhǎng)期可靠性 摘要 安森美宣布與上能電氣達(dá)成一項(xiàng)新的設(shè)計(jì)
    的頭像 發(fā)表于 03-31 14:59 ?311次閱讀

    安森美發(fā)布中國(guó)戰(zhàn)略,推動(dòng)創(chuàng)新,加速全球增長(zhǎng)

    安森美將上海設(shè)立為大中華區(qū)總部, ? 并公布任命中國(guó)區(qū)總經(jīng)理的計(jì)劃 ? 中國(guó)上海,2026年3月31日 ——安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)今日正式發(fā)布其中國(guó)戰(zhàn)略,明確將以更加聚焦
    的頭像 發(fā)表于 03-31 14:49 ?228次閱讀

    電源的功率密度怎么劃分?

    普遍。1 W/in3 約等于 0.061 W/cm3。 2. 功率密度的高低如何界定? 在AC/DC 模塊電源領(lǐng)域,“”與“低”是一個(gè) 相對(duì)概念 ,并且隨著半導(dǎo)體技術(shù)(如氮化鎵GaN、碳化硅 SiC)、變壓器工藝和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 03-21 17:45 ?1441次閱讀
    電源的<b class='flag-5'>功率密度</b>怎么劃分?

    安森美多系列功率器件產(chǎn)品助力突破AI數(shù)據(jù)中心能效瓶頸

    隨著 AI 算力需求的爆發(fā)式增長(zhǎng),數(shù)據(jù)中心正面臨功率密度激增、能耗加劇及行業(yè)效率標(biāo)準(zhǔn)日趨嚴(yán)苛的多重考驗(yàn)。作為功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商,安森美(onsemi)如何助力客戶突破能效瓶頸,以下
    的頭像 發(fā)表于 01-24 17:04 ?2434次閱讀

    安森美vGaN技術(shù)解鎖極致功率密度與效率

    安森美 (onsemi) 的垂直氮化鎵 (vGaN) 晶體管是新一代功率器件,能夠以高頻率處理極高電壓, 效率顯著優(yōu)于傳統(tǒng)的硅芯片。 這項(xiàng)技術(shù)在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先水平。 安森美的這個(gè)先進(jìn)設(shè)施占地
    的頭像 發(fā)表于 12-17 15:45 ?689次閱讀

    Leadway GaN系列模塊功率密度

    /L,效率96.8%),支持20分鐘快充。數(shù)據(jù)中心:通過高功率密度設(shè)計(jì)降低PUE(能源使用效率),如英特爾數(shù)據(jù)中心12V電源采用GaN后PUE降至1.08。與傳統(tǒng)硅基方案的對(duì)比: 硅基IGBT
    發(fā)表于 10-22 09:09

    I.S.E.S中國(guó)峰會(huì)上安森美揭秘功率密度爆發(fā)式增長(zhǎng)密碼 每?jī)赡攴槐?/a>

    當(dāng)全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)為更快充電、更長(zhǎng)續(xù)航激烈競(jìng)逐,當(dāng)AI數(shù)據(jù)中心因算力成本反復(fù)測(cè)算,圍繞“功率密度”的技術(shù)革命正成為突破瓶頸的關(guān)鍵。近日在I.S.E.S.中國(guó)峰會(huì)上,安森美(onsemi)企業(yè)戰(zhàn)略
    的頭像 發(fā)表于 10-20 15:34 ?2302次閱讀
    I.S.E.S中國(guó)峰會(huì)上<b class='flag-5'>安森美</b>揭秘<b class='flag-5'>功率密度</b>爆發(fā)式增長(zhǎng)密碼  每?jī)赡攴槐? />    </a>
</div>                              <div   id=

    三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊功率密度和低損耗設(shè)計(jì)

    鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器
    的頭像 發(fā)表于 09-23 09:26 ?2404次閱讀
    三菱電機(jī)SiC MOSFET<b class='flag-5'>模塊</b>的<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>和低損耗設(shè)計(jì)

    安森美助力工業(yè)光伏儲(chǔ)能與伺服系統(tǒng)高效進(jìn)化

    在工業(yè)新能源與伺服驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域,功率密度、高效率、長(zhǎng)壽命及系統(tǒng)成本優(yōu)化已經(jīng)成為市場(chǎng)的核心挑戰(zhàn)。在2025年7月12日的電源網(wǎng)電力電子與應(yīng)用大會(huì)
    的頭像 發(fā)表于 07-28 09:29 ?1780次閱讀

    能源汽車功率密度電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)

    一、新能源汽車功率密度電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)開發(fā)超高功率密度電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力在于:相同體積
    的頭像 發(fā)表于 06-14 07:07 ?1377次閱讀
    新<b class='flag-5'>能源</b>汽車<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>電驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>系統(tǒng)</b>關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)
    普宁市| 泾川县| 新余市| 措勤县| 从江县| 茶陵县| 精河县| 南宫市| 兴化市| 治多县| 乌拉特中旗| 定结县| 利川市| 馆陶县| 板桥市| 安图县| 台安县| 台东市| 嘉定区| 桂东县| 农安县| 吴桥县| 贡山| 仲巴县| 江源县| 思南县| 江北区| 绵竹市| 伊春市| 崇州市| 鹿泉市| 皋兰县| 浙江省| 那坡县| 大同市| 宁安市| 定襄县| 星座| 德令哈市| 南木林县| 沙湾县|