Part 01

前言

我們?cè)谶M(jìn)行電感選型時(shí)，如果打開(kāi)電感的規(guī)格書(shū)，就會(huì)發(fā)現(xiàn)，電感規(guī)格書(shū)中關(guān)于電感的額定電流給出了兩個(gè)參數(shù)，一個(gè)是Isat（飽和電流），一個(gè)是Itemp（溫升電流)，那么這兩個(gè)電流有什么區(qū)別？選型時(shí)如何校核這兩個(gè)參數(shù)呢？

Part 02

飽和電流VS溫升電流

TDK的規(guī)格書(shū)中關(guān)于額定電流給出了定義，飽和電流和溫升電流比大小，誰(shuí)小，誰(shuí)就是電感的額定電流，這就意味著電感實(shí)際流過(guò)的電流不能超過(guò)飽和電流和溫升電流中的最小值。

飽和電流：它被定義為隨著直流電流的增加，當(dāng)電感值下降到低于特定電感值時(shí)所施加的直流電流。

需要注意的是不同廠家規(guī)格書(shū)中定義的飽和電流測(cè)試條件以及測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)可能不同。重要的是比較制造商的測(cè)試條件和指定飽和時(shí)的電感下降百分比。有些廠家會(huì)把飽和電流定為電感值下降20%。有些廠家會(huì)把飽和電流定為電感值下降30%。那把飽和電流定為電感值下降30%的廠家的飽和電流自然看起來(lái)會(huì)更大，所以我們一定得注意飽和電流測(cè)試條件以及測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

電感飽和度有兩種類(lèi)型：硬飽和和軟飽和。硬飽和是飽和后電感值下降很快，軟飽和是飽和后電感值下降較慢。

溫升電流：電感的溫升電流是基于電感溫度升高時(shí)，不同的溫升對(duì)應(yīng)流過(guò)電感的電流，所以這個(gè)參數(shù)和測(cè)試條件也強(qiáng)相關(guān)，比如一個(gè)額定溫度125℃的電感，如果環(huán)境溫度是85°C，那么允許的溫升為40°C，如果環(huán)境溫度 105°C，那么允許的溫升為20°C，我們?cè)趯?duì)比不同的電感時(shí)，不要忽略相應(yīng)的測(cè)試條件。

在電感溫升電流的測(cè)量過(guò)程中，有多種因素會(huì)影響最終的測(cè)試結(jié)果。比如PCB板的線路寬度：較寬的PCB線路能夠提供更好的散熱效果，從而影響電感的溫升。較窄的線路則可能限制散熱，導(dǎo)致電感溫度上升更快。PCB銅箔的厚度：厚銅箔能夠承載更大的電流且更有效地散熱，從而減小電感的溫升。薄銅箔的散熱效果較差，可能會(huì)導(dǎo)致電感溫升增加。測(cè)試時(shí)間：長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試會(huì)讓電感達(dá)到熱平衡狀態(tài)，這樣可以更準(zhǔn)確地反映電感在實(shí)際使用中的溫升情況。短時(shí)間的測(cè)試可能不足以讓電感溫度穩(wěn)定，導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果偏低。產(chǎn)品中的使用條件：如果電感器靠近發(fā)熱元器件（如MOSFET），它會(huì)受到額外的熱量影響，從而增加其溫升。系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的空氣流動(dòng)、冷卻措施等也會(huì)影響電感的溫升特性。

這些因素都會(huì)影響電感溫升電流的測(cè)試結(jié)果，因此在參考溫升電流參數(shù)時(shí)應(yīng)當(dāng)謹(jǐn)慎。實(shí)際應(yīng)用中，建議通過(guò)實(shí)際測(cè)量電感器的溫度和溫升，可以更準(zhǔn)確地評(píng)估其在具體應(yīng)用中的表現(xiàn)，并做出更可靠的設(shè)計(jì)選擇。