摘 要

充電樁采用碳化硅模塊可以增加近30%的輸出功率，減少50%的損耗。目前在充電樁領(lǐng)域，碳化硅應(yīng)用處于快速增長階段，預(yù)計到2025年將提升至35%，市場規(guī)模將達200億元。

近年來，充電時長已經(jīng)成為影響新能源汽車駕駛體驗的關(guān)鍵因素，市場對提高車輛充電速度的需求變得越來越迫切。高電壓和大電流都可縮短充電時間，但考慮到銅線損耗的因素，高壓大功率比大電流方案更有效率。而要提升充電速度，必然要關(guān)注大功率充電，在不提高整車電壓平臺的條件下，必須增大充電電流，但這樣也會導(dǎo)致端子、線纜的發(fā)熱量增加，繼而溫度升高。持續(xù)高溫容易損害充電裝置，嚴重的還會引發(fā)安全事故，為避免這種情況，必須將充電槍端子及線纜的發(fā)熱量及溫升降低，常用的方法就是增大導(dǎo)體截面積。然而增大導(dǎo)體截面積后會增加線纜的重量，用戶使用會很不方便?？紤]到充電槍的電流約束，最適合的辦法是通過提升電壓平臺實現(xiàn)大功率充電。

圖 高壓快充架構(gòu)下電池系統(tǒng)成本與低壓大電流架構(gòu)的對比

目前主流車企均在布局高壓快充車型，預(yù)計2026年800伏以上高壓車型銷量將過半，但我國適配高壓快充的高壓充電樁數(shù)量不足。為此，主流車企和充電運營商正加快研發(fā)推出大功率快充樁，亟需更耐高壓、耐高溫、更小型化的新型功率器件，以滿足充電設(shè)備對效率和安全的更高要求。

作為第三代半導(dǎo)體材料，碳化硅具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異特性。與傳統(tǒng)硅材料比較，碳化硅器件能有效滿足充電樁設(shè)備耐高壓、耐高溫、更小型化新型器件的需求，幫助實現(xiàn)新能源汽車快速充電的目標。此外，碳化硅還能提高單位功率密度，減小模塊體積并簡化電路設(shè)計，對降低充電樁成本起到重要作用。

圖 傳統(tǒng)硅功率器件單向充電樁方案

圖 碳化硅功率器件雙向充電樁方案

傳統(tǒng)硅方案充電樁模塊電源中，DC/DC拓撲采用650V硅基超結(jié)MOSFET組成兩個全橋串聯(lián)的LLC，使用1200V碳化硅MOSFET以后，系統(tǒng)可以簡化為一個LLC諧振回路，器件數(shù)量大幅度減少，有利于提升系統(tǒng)可靠性。尤其是關(guān)斷損耗更小的碳化硅MOSFET，更適合充電樁電源模塊DC/DC部分的LLC/移相全橋等電路拓撲。

同時，1200V/40mΩ碳化硅MOSFET分立器件在風光儲充、車載充電、汽車空調(diào)等領(lǐng)域的電源模塊上被廣泛應(yīng)用，規(guī)模優(yōu)勢使碳化硅MOSFET成本進一步降低，使得用1200V碳化硅MOSFET的系統(tǒng)成本比使用650V硅基超結(jié)MOSFET的更低，產(chǎn)品更具有競爭力。

此外，大功率（50kW~60kW）的充電模塊功率密度高，體積有限，如果采用分立器件，并聯(lián)數(shù)量會很多，給均流、安裝和散熱帶來了非常高的挑戰(zhàn)，而采用碳化硅 MOSFET模塊方案，則可以很好地解決上述問題。

圖 基本半導(dǎo)體1200V碳化硅MOSFET E2B半橋模塊在充電樁中的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體PcoreTM2 E2B全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R120E2G3基于高性能晶圓平臺設(shè)計，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、可靠性等方面表現(xiàn)出色。高溫(Tvj=150℃)下的RDS(on)參數(shù)僅比常溫(Tvj=25℃)時增加1.4倍左右。產(chǎn)品內(nèi)置碳化硅肖特基二極管，使得續(xù)流二極管基本沒有反向恢復(fù)行為，大幅降低模塊的開通損耗。產(chǎn)品還引入氮化硅(Si3N4)AMB陶瓷基板及高溫焊料，可改善長期高溫度沖擊循環(huán)的CTE失配，陶瓷板的可靠性大幅提升。

圖 PcoreTM2 E2B全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R120E2G3

在高壓快充的大背景下，以基本半導(dǎo)體為代表的碳化硅功率器件企業(yè)將不斷加大研發(fā)力度，確保先進技術(shù)能緊跟行業(yè)趨勢和市場需求，為充電樁設(shè)備制造企業(yè)提供更高性能的碳化硅功率器件。隨著新能源汽車、光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅器件在電力設(shè)備行業(yè)中還將有更廣泛的應(yīng)用，其市場規(guī)模還有巨大的成長空間，預(yù)計碳化硅功率器件在光伏逆變器的滲透率將從 2020年的10%增長至 2048年的85%。

關(guān)于

基本半導(dǎo)體

深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發(fā)團隊，核心成員包括二十余位來自清華大學、中國科學院、英國劍橋大學、德國亞琛工業(yè)大學、瑞士聯(lián)邦理工學院等國內(nèi)外知名高校及研究機構(gòu)的博士。

基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的材料制備、芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，擁有知識產(chǎn)權(quán)兩百余項，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動芯片等，性能達到國際先進水平，服務(wù)于光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。

基本半導(dǎo)體是國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，承擔了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的數(shù)十項研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，與深圳清華大學研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心，是國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國科協(xié)產(chǎn)學研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。