器件采用MPS結構設計，額定電流5 A~ 40 A，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低

美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年6月28日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低，有助于提升開關電源設計能效和可靠性。

日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由于采用MPS結構——利用激光退火背面減薄技術——二極管電容電荷低至28 nC，正向壓降減小為1.35 V。此外，器件25 C下典型反向漏電流僅為2.5 μA，因此降低了導通損耗，確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極管不同，第三代器件幾乎沒有恢復拖尾，從而能夠進一步提升效率。

碳化硅二極管典型應用包括FBPS和LLC轉換器AC/DC功率因數校正（PFC）和 DC/DC超高頻輸出整流，適用于光伏逆變器、儲能系統、工業(yè)驅動器和工具、數據中心等。這些嚴苛的應用環(huán)境中，器件工作溫度可達+175°C，正向額定浪涌電流保護能力高達260 A。此外，D2PAK 2L封裝二極管采用高CTI 600的塑封料，確保電壓升高時優(yōu)異的絕緣性能。

器件具有高可靠性，符合RoHS標準，無鹵素，通過2000小時高溫反偏（HTRB）測試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測試。

器件規(guī)格表：

新型SiC二極管現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為13周。

審核編輯 黃宇