探索 onsemi FFSM1065A:SiC 肖特基二極管的卓越性能
在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能直接影響著電子系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。今天,我們將深入探討 onsemi 的 FFSM1065A 碳化硅(SiC)肖特基二極管,了解其特點(diǎn)、性能參數(shù)以及應(yīng)用場景。
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1. 產(chǎn)品概述
FFSM1065A 是 onsemi 推出的一款 10A、650V 的碳化硅肖特基二極管,采用了全新的技術(shù),與傳統(tǒng)的硅二極管相比,具有卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。碳化硅肖特基二極管的出現(xiàn),為下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)奠定了基礎(chǔ),能夠?yàn)橄到y(tǒng)帶來更高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的電磁干擾(EMI)以及更小的系統(tǒng)尺寸和成本。
2. 產(chǎn)品特點(diǎn)
2.1 高溫性能
該二極管的最大結(jié)溫可達(dá) 175°C,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適用于各種惡劣的工業(yè)和汽車應(yīng)用場景。
2.2 雪崩額定能量
具有 47mJ 的雪崩額定能量,能夠承受高能量的沖擊,提高了系統(tǒng)的可靠性。
2.3 高浪涌電流能力
具備高浪涌電流容量,能夠應(yīng)對瞬間的大電流沖擊,保護(hù)系統(tǒng)免受損壞。
2.4 正溫度系數(shù)
正溫度系數(shù)使得二極管在并聯(lián)使用時更加穩(wěn)定,易于實(shí)現(xiàn)多個二極管的并聯(lián)連接,提高系統(tǒng)的功率處理能力。
2.5 無反向恢復(fù)和正向恢復(fù)
無反向恢復(fù)電流和正向恢復(fù)現(xiàn)象,減少了開關(guān)損耗,提高了系統(tǒng)的效率。
2.6 環(huán)保特性
該器件符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),無鉛、無鹵、無溴化阻燃劑(BFR),符合環(huán)保要求。
3. 應(yīng)用場景
FFSM1065A 適用于多種應(yīng)用場景,包括:
- 通用電源:如開關(guān)模式電源(SMPS),能夠提高電源的效率和功率密度。
- 太陽能逆變器:在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,能夠提高逆變器的效率和可靠性。
- 不間斷電源(UPS):為 UPS 系統(tǒng)提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
- 功率開關(guān)電路:在各種功率開關(guān)電路中,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)動作,減少開關(guān)損耗。
4. 性能參數(shù)
4.1 絕對最大額定值
| 符號 | 參數(shù) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| VRRM | 重復(fù)峰值反向電壓 | 650 | V |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 47 | mJ |
| IF | 連續(xù)整流正向電流($T_{C}<140^{circ}C$) | 10 | A |
| IF | 連續(xù)整流正向電流($T_{C}<135^{circ}C$) | 11 | A |
| IF,Max | 非重復(fù)峰值正向浪涌電流($T_{C}=25^{circ}C,10mu s$) | 600 | A |
| IF,Max | 非重復(fù)峰值正向浪涌電流($T_{C}=150^{circ}C,10mu s$) | 580 | A |
| IF,SM | 非重復(fù)正向浪涌電流(半正弦脈沖,$t_{p}=8.3 ms$) | 56 | A |
| IF,RM | 重復(fù)正向浪涌電流(半正弦脈沖,$t_{p}=8.3 ms$) | 28 | A |
| PD | 功率耗散($T_{C}=25^{circ}C$) | 71 | W |
| PD | 功率耗散($T_{C}=150^{circ}C$) | 12 | W |
| TJ, TSTG | 工作和儲存溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
4.2 熱特性
| 符號 | 參數(shù) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| RθJC | 結(jié)到殼的熱阻(最大) | 2.1 | °C/W |
4.3 電氣特性
| 符號 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VF | 正向電壓($I{F}=10 A, T{C}=25^{circ}C$) | 1.50 | 1.75 | V | ||
| VF | 正向電壓($I{F}=10 A, T{C}=125^{circ}C$) | 1.6 | 2.0 | V | ||
| VF | 正向電壓($I{F}=10 A, T{C}=175^{circ}C$) | 1.72 | 2.4 | V | ||
| IR | 反向電流($V{R}=650 V, T{C}=25^{circ}C$) | 200 | μA | |||
| IR | 反向電流($V{R}=650 V, T{C}=125^{circ}C$) | 400 | μA | |||
| IR | 反向電流($V{R}=650 V, T{C}=175^{circ}C$) | 600 | μA | |||
| Qc | 總電容電荷($V = 400 V$) | 34 | nC | |||
| C | 總電容($V_{R}=1 V, f = 100 kHz$) | 575 | pF | |||
| C | 總電容($V_{R}=200 V, f = 100 kHz$) | 62 | pF | |||
| C | 總電容($V_{R}=400 V, f = 100 kHz$) | 47 | pF |
5. 封裝和訂購信息
FFSM1065A 采用 PQFN 8x8, 2P(Power88)封裝,無鹵設(shè)計,每盤 3000 個。對于膠帶和卷軸規(guī)格的詳細(xì)信息,可參考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。
6. 總結(jié)
FFSM1065A 碳化硅肖特基二極管憑借其卓越的性能和特點(diǎn),為電子工程師提供了一種高效、可靠的功率半導(dǎo)體解決方案。在設(shè)計電源、逆變器和功率開關(guān)電路時,考慮使用這款二極管能夠顯著提高系統(tǒng)的性能和可靠性。各位工程師在實(shí)際應(yīng)用中,不妨嘗試使用這款產(chǎn)品,體驗(yàn)其帶來的優(yōu)勢。同時,在使用過程中,也需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景和要求,對器件的性能進(jìn)行充分的評估和驗(yàn)證。你在實(shí)際項(xiàng)目中是否使用過類似的碳化硅肖特基二極管呢?遇到過哪些問題和挑戰(zhàn)?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
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