英飛凌居林工廠擴(kuò)建成全球最大碳化硅晶圓廠
英飛凌在2024財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)電話會(huì)上，碳化硅與居林工廠成為焦點(diǎn)。會(huì)后，英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck即刻啟程，前往馬來西亞吉打州，參加一個(gè)具有里程碑意義的儀式——全球規(guī)模最大且效率領(lǐng)先的200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠正式投入生產(chǎn)運(yùn)營。
此舉措標(biāo)志著英飛凌在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局邁出了堅(jiān)實(shí)一步，旨在滿足全球?qū)Ω咝阅?、高能效功?a target="_blank">半導(dǎo)體日益增長的需求。居林工廠的擴(kuò)建不僅彰顯了英飛凌的技術(shù)實(shí)力和市場洞察力，更為全球半導(dǎo)體行業(yè)的綠色轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)了重要力量。隨著該晶圓廠的正式投產(chǎn)，英飛凌將進(jìn)一步鞏固其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，推動(dòng)行業(yè)技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
2564瀏覽量
143191 -
晶圓廠
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
646瀏覽量
39005 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3557瀏覽量
52676
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
《氧化鋁、碳化硅、氮化硅，誰才是工業(yè)陶瓷老大？》
如果非要在氧化鋁、碳化硅和氮化硅這三大工業(yè)陶瓷中選出一個(gè)“老大”，我們不妨借用一個(gè)形象的比喻來理解它們各自的“江湖地位”：坐鎮(zhèn)中樞的氧化鋁是“丞相”，攻城拔寨的碳化硅是“征北大將軍”，而銳不可當(dāng)
發(fā)表于 04-29 07:23
技術(shù)突圍與市場破局：碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級(jí)路徑
耐火材料與純碳化硅材料面臨極限挑戰(zhàn)時(shí)，氮化硅陶瓷的技術(shù)指標(biāo)為這一領(lǐng)域提供了更具針對(duì)性的升級(jí)方案。
一、產(chǎn)品細(xì)節(jié)：氮化硅陶瓷的技術(shù)優(yōu)勢
針對(duì)焚燒爐內(nèi)膽的實(shí)際工況，氮化硅陶瓷相較于常規(guī)
發(fā)表于 03-20 11:23
豐田新款bZ4X車型采用英飛凌CoolSiC MOSFET產(chǎn)品
英飛凌科技股份公司近日宣布，全球最大汽車制造商豐田已在其新款車型bZ4X中采用了英飛凌的CoolSiC MOSFET(碳化硅功率MOSFET
簡單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級(jí)供應(yīng)商以及
探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)
作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑，可滿足全球對(duì)可再生能源、電動(dòng)汽車 (EV
[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向
一、引言
碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用?？偤穸绕睿═TV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo)，其精確測量對(duì)保障碳化硅器件性能至關(guān)重要
![[新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向](https://file1.elecfans.com/web3/M00/20/D6/wKgZPGhd-raAI0RYAACIgEePWXY565.png)
Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用
碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來，它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來，Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過去的五年中，我們
Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開啟大規(guī)模商用
全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）宣布，Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標(biāo)志著 Wolfspeed 加速行業(yè)從硅向
碳化硅功率器件的基本特性和主要類型
隨著全球對(duì)能源效率和可持續(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料，正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性，成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討碳化硅功率器件
碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用
今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸，直接促進(jìn)了新能源等
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
發(fā)表于 06-25 09:13
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC
英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)
本文是作者2024年“第十八屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)”演講稿第二部分，第一部分請(qǐng)見《英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述（一）》。英飛凌SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四大支柱SiC
評(píng)論