安森美半導體公司最新推出了采用F5BP封裝的硅與碳化硅混合功率集成模塊（PIM），這一創(chuàng)新設計專為提升大型太陽能組串式逆變器及儲能系統(tǒng)（ESS）的性能而打造。與前代產(chǎn)品相比，新款PIM在保持緊湊體積的同時，實現(xiàn)了功率密度與效率的顯著提升，使得太陽能逆變器的系統(tǒng)總功率上限從300 kW躍升至350 kW。這一進步意味著，在千兆瓦級的大型太陽能發(fā)電站中，采用這些模塊每小時可節(jié)省近2兆瓦的電能，年度發(fā)電量足以滿足超過700戶家庭的用電需求。

鑒于太陽能作為可再生能源中平準化能源成本（LCOE）最低的選項，其全球應用正迅速擴展。為應對太陽能發(fā)電的間歇性挑戰(zhàn)，公用事業(yè)公司正加速部署大型電池儲能系統(tǒng)（BESS），以確保電網(wǎng)的穩(wěn)定供電。在此背景下，制造商與公用事業(yè)公司迫切需求高效且可靠的電力轉(zhuǎn)換解決方案。安森美的新款PIM正是響應這一需求的產(chǎn)物，其每提升0.1%的效率，在千兆瓦級裝機容量下，每年即可為運營商節(jié)省高達25萬美元的運營成本。

Sravan Vanaparthy，安森美電源方案事業(yè)群工業(yè)電源部副總裁指出：“面對太陽能這一波動性能源，提升系統(tǒng)效率與可靠性，并融合先進儲能方案，對于保障全球電網(wǎng)在電力需求波動時的穩(wěn)定供應至關重要。高效的基礎設施不僅能促進太陽能的廣泛采用，還能在構(gòu)建無化石燃料未來之路上，有效減少能源浪費?！?/p>

F5BP-PIM集成了1050V FS7 IGBT與1200V D3 EliteSiC二極管，這一組合在高效處理高電壓與大電流轉(zhuǎn)換的同時，顯著降低了功耗并增強了系統(tǒng)可靠性。FS7 IGBT以其低關斷損耗著稱，可將開關損耗減少約8%；而EliteSiC二極管則展現(xiàn)了卓越的開關性能，與前代產(chǎn)品相比，其導通壓降（VF）降低了15%，進一步提升了能效。

此外，該PIM采用了創(chuàng)新的I型中點箝位（INPC）拓撲結(jié)構(gòu)逆變器模塊與飛跨電容拓撲結(jié)構(gòu)升壓模塊，結(jié)合優(yōu)化的電氣布局與先進的直接銅鍵合（DBC）基板技術(shù)，有效減少了雜散電感和熱阻。特別值得一提的是，銅基板的應用將結(jié)到散熱片的熱阻降低了9.3%，確保了模塊在重負載條件下的良好散熱，這對于維持模塊高效運行及延長使用壽命至關重要。因此，安森美的這款PIM在要求高度可靠與持續(xù)供電的嚴苛應用場景中展現(xiàn)出了非凡的競爭力。