美國愛達荷州博伊西，2017 年 8 月14日——美光科技于今日在總部舉辦活動，慶祝擴建的新廠投入運轉。這一工廠在公司研究未來具有突破性的全新內存和存儲技術的過程中將扮演重要角色。在新設施配備完善后，美光在博伊西的研發(fā)專用無塵室的空間將增加近一倍，并將為公司整體研發(fā)能力的擴展提供重要支持。

這座位于博伊西的擴建研發(fā)廠對于美光開發(fā)新的半導體制造工藝和設計，滿足該公司未來的存儲和內存技術需求至關重要。在博伊西研發(fā)中心研發(fā)出的各種工藝隨后會轉至美光位于全球的 12 個大型制造工廠進行量產。

為紀念這一重要時刻，美光科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra和技術開發(fā)執(zhí)行副總裁 ScottDeBoer 帶領公眾代表和政要參觀了新工廠。

“打造世界上最先進的半導體是一個非常復雜的過程?！盡ehrotra 說，“我們在愛達荷州有一支行業(yè)頂尖的科學家和工程師團隊，他們所做的工作將會幫助塑造未來的技術、產品和解決方案，包括未來的手機、汽車和數據中心，并推動正在快速崛起的人工智能和大數據分析等新興技術。今天，博伊西研發(fā)無塵室的落成標志著我們在博伊西的創(chuàng)新能力將得到大幅提升?！?/span>

該新的無塵工廠于2015年10月動工，旨在打造一個更大規(guī)模的無污染、可精確控制的研發(fā)環(huán)境，利用美光科技多年來的精深技術專長和創(chuàng)新能力，開發(fā)和制造先進的存儲集成電路。建造該工廠需要24000 立方碼的混凝土，相當于讓一輛混凝土車連續(xù)不間斷地工作100天。這座先進的研發(fā)中心還使用了1000萬磅鋼筋，光是建筑物內就鋪設了240英里長的線纜，這一長度足以連接到國際空間站。

博伊西的研發(fā)廠處于美光全球創(chuàng)新網絡的核心位置，本次規(guī)模擴張將有助于加快新一代DRAM、NAND和新興內存技術的開發(fā)速度。

DeBoer特別指出，美光的尖端DRAM 技術(1Ynm)已經從博伊西的研發(fā)中心轉入美光位于日本廣島的制造工廠。在過去一年里，研發(fā)團隊還在博伊西成功完成了64層 3D NAND的開發(fā)過程，并將該技術從最初在博伊西的開發(fā)轉入了美光在新加坡的工廠實現(xiàn)量產。

作為美光的全球技術開發(fā)中心，博伊西的研發(fā)廠正引領著諸如未來的DRAM、3D XPoint?和3DNAND 等新一代技術的開發(fā)。