TTP339N04-AB8/BN8：精準(zhǔn)體溫，一觸即測(cè)的電子體溫量測(cè) IC
TTP339N04-AB8/BN8電子體溫量測(cè) IC是一款電子體溫量測(cè) IC，沒(méi)有顯示接口，透過(guò) I2C 兩線(SDA, SCL)傳輸接口，將量測(cè)溫度輸出
-產(chǎn)品特點(diǎn)-
? 單電池3.0V供電
? 自動(dòng)關(guān)閉電源功能(當(dāng)TMOEN PIN空接或接VDD時(shí))
? 內(nèi)建低電壓檢測(cè)功能: 2.50 ± 0.10V
? 溫度測(cè)量范圍：32.0℃ ~ 42.9℃
? 溫度測(cè)量準(zhǔn)確度：± 0.1℃
? 溫度測(cè)量分辨率：0.1℃
? 測(cè)量之即時(shí)溫度值輸出(當(dāng)TMOEN PIN接VSS時(shí))
? 內(nèi)建系統(tǒng)頻率振蕩電路
? 提供I2C 兩線(SDA, SCL)傳輸接口，輸出量測(cè)狀態(tài)和溫度數(shù)據(jù)。
-管腳定義-
01
TTP339N04-AB8 (DFN8)
02
TTP339N04-BN8 (ESOP8)
-引腳功能-
-電特性-
-應(yīng)用電路圖-
01
For –AB8 (DFN8)
02
For –BN8 (ESOP8)
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
IC
+關(guān)注
關(guān)注
36文章
6489瀏覽量
186502 -
測(cè)量
+關(guān)注
關(guān)注
10文章
5742瀏覽量
117019 -
電子體溫表
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
5瀏覽量
6561
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
探索 onsemi NTMFSC0D8N04XM：高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選
探索 onsemi NTMFSC0D8N04XM：高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選 在電子工程領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，對(duì)電路的性能起著至關(guān)重要的作用。今天，我們將深入剖析
Onsemi NTMYS8D0N04C：高性能N溝道MOSFET的深度解析
Onsemi NTMYS8D0N04C：高性能N溝道MOSFET的深度解析 在當(dāng)今電子設(shè)備不斷追求小型化、高效化的時(shí)代，功率MOSFET作為關(guān)鍵的電子元件，其性能表現(xiàn)直接影響著整個(gè)系統(tǒng)
onsemi NTTFS2D8N04HL N 溝道 MOSFET 深度解析
onsemi NTTFS2D8N04HL N 溝道 MOSFET 深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵元件，其性能直接影響到整個(gè)電路的表現(xiàn)。今天我們就來(lái)詳細(xì)探討 onsemi 推出的
安森美NVMYS3D8N04CL單通道N溝道MOSFET深度解析
安森美NVMYS3D8N04CL單通道N溝道MOSFET深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能表現(xiàn)直接影響到整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入了解安森美
安森美NVMYS8D0N04C N溝道MOSFET：緊湊設(shè)計(jì)與高效性能的完美結(jié)合
安森美NVMYS8D0N04C N溝道MOSFET：緊湊設(shè)計(jì)與高效性能的完美結(jié)合 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能表現(xiàn)直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入
深入解析NVMJD8D1N04C雙N溝道MOSFET
深入解析NVMJD8D1N04C雙N溝道MOSFET 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET是不可或缺的重要元件。今天，我們就來(lái)詳細(xì)解析一款性能出色的雙
onsemi NVMJS0D8N04CL N溝道MOSFET深度解析
onsemi NVMJS0D8N04CL N溝道MOSFET深度解析 在電子電路設(shè)計(jì)中，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入探討一
深入解析 onsemi NVMYS3D8N04CL 單通道 N 溝道功率 MOSFET
深入解析 onsemi NVMYS3D8N04CL 單通道 N 溝道功率 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，它廣泛應(yīng)用于各種電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天，我們
深入解析 onsemi NVMYS8D0N04C N 溝道 MOSFET
深入解析 onsemi NVMYS8D0N04C N 溝道 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入探討
一“關(guān)”破壁：疆鴻智能MODBUS TCP轉(zhuǎn)PROFIBUS，精準(zhǔn)守護(hù)化工“體溫”
一“關(guān)”破壁：疆鴻智能MODBUS TCP轉(zhuǎn)PROFIBUS，精準(zhǔn)守護(hù)化工“體溫” 項(xiàng)目背景 在現(xiàn)代化工生產(chǎn)中，溫度是影響化學(xué)反應(yīng)效率與安全的核心參數(shù)。反應(yīng)釜、蒸餾塔及輸送管道等設(shè)備通常配備高精度
“觸覺(jué)”再進(jìn)化：艾為電子三合一觸控技術(shù)引領(lǐng)指尖革命
在智能硬件日益追求“無(wú)感操作”與“沉浸體驗(yàn)”的今天，觸控早已不只是“點(diǎn)一下”那么簡(jiǎn)單。數(shù)模龍頭艾為電子推出新一代三合一觸控芯片，集成電容、壓
探索NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET：設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，它對(duì)設(shè)備的性能和效率有著深遠(yuǎn)的影響。今天，我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的特性和
福祿克小型水三相點(diǎn)助力醫(yī)用電子體溫計(jì)精準(zhǔn)測(cè)量
在現(xiàn)代醫(yī)療健康領(lǐng)域，體溫測(cè)量是一項(xiàng)再常見(jiàn)不過(guò)卻又至關(guān)重要的操作。而醫(yī)用電子體溫計(jì)，憑借其快速、直觀、安全的特性，早已成為體溫測(cè)量的主力軍，廣
從原理到應(yīng)用，一文讀懂半導(dǎo)體溫控技術(shù)的奧秘
對(duì)電流大小和方向的精準(zhǔn)控制，便能實(shí)現(xiàn)精確的制冷或制熱，從而完成對(duì)目標(biāo)物體溫度的調(diào)控。與傳統(tǒng)的壓縮機(jī)溫控、電阻加熱溫控相比，這種溫控方式在響應(yīng)速度、體積、機(jī)械結(jié)構(gòu)、使用壽命等方面呈現(xiàn)出一定特性，例如
發(fā)表于 06-25 14:44
監(jiān)測(cè)體溫的傳感器都有啥？
監(jiān)測(cè)體溫的傳感器種類(lèi)多樣，主要分為接觸式和非接觸式兩大類(lèi)，具體如下：一、接觸式體溫傳感器熱敏電阻（Thermistor）原理：電阻值隨溫度變化而變化（NTC型最常見(jiàn)，溫度升高電阻降低）。應(yīng)用：
評(píng)論