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      簡(jiǎn)化的MOSFET等效電路，看Rds和Rg電阻損耗

      貿(mào)澤電子設(shè)計(jì)圈 ? 來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) ? 作者：佚名 ? 2017-10-31 15:43 ? 次閱讀
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      簡(jiǎn)化的MOSFET等效電路

      MOSFET開(kāi)通（turn on）過(guò)程

      MOSFET損耗——Rds和Rg電阻損耗

      Diode損耗——肖特基不計(jì)反向恢復(fù)損耗

      L/C損耗

      IC損耗

      小結(jié)

      綜合上述分析可知，影響效率的因素主要有Rds（on），開(kāi)關(guān)頻率，有效值電流。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
      • MOSFET
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      • 電阻損耗
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      原文標(biāo)題：影響B(tài)UCK電源效率的關(guān)鍵因素竟是這幾點(diǎn)......

      文章出處：【微信號(hào)：Mouser-Community，微信公眾號(hào)：貿(mào)澤電子設(shè)計(jì)圈】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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        的頭像 發(fā)表于 12-24 10:12 ?416次閱讀
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        的頭像 發(fā)表于 06-12 11:22 ?2797次閱讀
        SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>計(jì)算<b class='flag-5'>損耗</b>的方法
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