品質(zhì)因數(shù)FOM是半導(dǎo)體性能的量化指標(biāo)之一。MOSFET的FOM由漏-源導(dǎo)通電阻與器件的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的乘積得出。FOM值越低，器件性能越好。

如下是對(duì)SiC MOSFET具有重要意義的品質(zhì)因數(shù)：

RDS(on)*Area: 這是最常用的FOM，它代表了MOSFET技術(shù)的進(jìn)步

RDS(ON)× Qg: 綜合反映靜態(tài)導(dǎo)通損耗與柵極驅(qū)動(dòng)損耗，是器件選型與代際對(duì)比的基礎(chǔ)指標(biāo)

RDS(ON)× Coss:軟開關(guān)核心指標(biāo)，決定輕載損耗與諧振頻率，F(xiàn)OM 越小，輕載效率越高、可工作頻率越高

RDS(ON)× Eoss: 評(píng)估輕載 / 待機(jī)損耗，Eoss越小，輕載下充放電損耗越低

器件數(shù)據(jù)手冊(cè)通常不會(huì)給出FOM值。英飛凌推出的1200V第二代CoolSiC MOSFET，采用先進(jìn)的溝槽柵SiC技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了品質(zhì)因數(shù)的全面突破。CoolSiC MOSFET G2能夠?qū)崿F(xiàn)超低導(dǎo)通電阻與低輸出電容的完美結(jié)合，助力系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更經(jīng)濟(jì)。其業(yè)界領(lǐng)先的柵極電荷和輸出電容特性，顯著降低了開關(guān)損耗，提升了高頻操作下的能效。此外，高柵-源閾值電壓設(shè)計(jì)有效防止了寄生導(dǎo)通，確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。無論是硬開關(guān)還是軟開關(guān)應(yīng)用，CoolSiC MOSFET都能提供靈活的設(shè)計(jì)空間，助力工程師打造卓越、高性能的解決方案。