芯片晶粒在未來搭載愈來愈多晶體管可望成為趨勢，讓芯片運算能力達到人腦水平也可望有朝一日達成，對于這類新技術(shù)的發(fā)展，在芯片上以及在多層堆疊芯片之間打造先進3D結(jié)構(gòu)成為一大主要驅(qū)動力，在2017年IEEE IEDM大會上也可見相關(guān)技術(shù)進展的發(fā)表及討論，可以預(yù)期的是，數(shù)據(jù)中心以芯片為基礎(chǔ)的電子存儲器及嵌入式應(yīng)用如計算機與工業(yè)存儲器，朝3D技術(shù)發(fā)展將成為趨勢。

根據(jù)富比士(Forbes)報導，除了存儲器3D技術(shù)趨勢外，每顆芯片配置多元存儲器以及多層堆疊芯片的設(shè)計也將主導許多應(yīng)用，此外，各類電阻式存儲器及MRAM技術(shù)也將有助儲存級存儲器、低功耗與長效物聯(lián)網(wǎng)(IoT)，以及其它不斷成長中應(yīng)用的發(fā)展。

臺積電在本屆IEEE IEDM大會上表示，至2020年業(yè)界將可見每晶粒500億個晶體管的芯片問世，但其復(fù)雜度仍比相當于有著約1兆晶體管的人類大腦為低，藉由NVIDIA及其它業(yè)者在開發(fā)的新興3D x 3D超級芯片，將可內(nèi)含2,000億個晶體管，到那時才會比較接近大腦的復(fù)雜度。在芯片上及多層堆疊芯片間打造先進3D結(jié)構(gòu)，成為達成新技術(shù)的主要驅(qū)力。

新興非揮發(fā)性存儲器有助進行神經(jīng)運算以進行裝置中的機器學習(ML)，可進一步強化當前神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的能力?？勺冸娮枋诫S機存取存儲器(ReRAM)則是受神經(jīng)存儲器芯片青睞采用的技術(shù)，因ReRAM可作為突觸元件進行操作。

本屆IEEE IEDM大會可見許多報告提出改善這些存儲器特性的方式，如韓國SK海力士(SK Hynix)發(fā)布一份XPoint技術(shù)的23納米ReRAM，這款ReRAM內(nèi)含砷以創(chuàng)造閥值切換行為；GlobalFoundries發(fā)布的報告，則討論一款7納米CMOS技術(shù)如何用于高性能運算及行動裝置。

日本中央大學教授Ken Takeuchi則談到如何在NAND Flash控制器中提供額外的處理能力，該控制器可辨識特定應(yīng)用的重要數(shù)據(jù)，以及將此數(shù)據(jù)儲存于可靠的存儲器單元中。在此方法中雖然電路本身的精確度降低，深度學習(DL)的推論結(jié)果這類應(yīng)用級準確度則不會下降。

這也是近似運算(approximate computing)能夠被運用于提供在存儲器及儲存裝置內(nèi)部所采用較小型及功耗更佳處理器更有用功能的原因。未來的數(shù)據(jù)中心將采用由中央處理器(CPU)、DRAM、儲存控制器、儲存級存儲器(SCMs)以及Flash存儲器所組成的非聚合式混合儲存技術(shù)。

針對MRAM技術(shù)，高通旗下高通技術(shù)(Qualcomm Technologies)公司出席本屆IEEE IEDM大會的代表指出，MRAM準備成為統(tǒng)一的存儲器子系統(tǒng)，能夠改造物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式裝置這類新興極低功耗系統(tǒng)的架構(gòu)，且MRAM也可改變以運算為中心的架構(gòu)。例如面垂直(perpendicular) STT-MTJ MRAM具備快速讀寫特性，也有助當前的SRAM及DRAM可直接與處理器一同配置。

這將有助以單一MRAM存儲器取代應(yīng)用于許多物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的SRAM及Flash架構(gòu)，因而減少存儲器之間的信息流以及節(jié)省功耗支出，這對搭載電池的應(yīng)用來說特別重要，加上MRAM的位元單元(Bitcell)大小約只有SRAM位元單元的25~30%，因此采用MRAM也可節(jié)省晶?？臻g。

由于電路簡化，讓MRAM應(yīng)可被視為是具成本競爭力的存儲器選項，特別是對嵌入式應(yīng)用而言更是如此，只不過MRAM在成本上仍無法與高密度DRAM相較，因此應(yīng)用驅(qū)動的客制化獨立MRAM或較具競爭力，因在價格上比eMRAM為低。