近日,銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產(chǎn)品,為市場帶來了更加高效的解決方案。
這兩款產(chǎn)品的型號分別為RUH4040M-B(40V/40A)和RUH4080M-B(40V/80A),均采用了先進的DFN5060封裝技術。通過采用先進的制造工藝,這兩款MOSFET產(chǎn)品實現(xiàn)了超低導通電阻,從而大幅提升了電路的效率。
RUH4040M-B和RUH4080M-B不僅具備出色的性能表現(xiàn),還具有良好的穩(wěn)定性和可靠性。它們能夠在高電壓、大電流的環(huán)境下穩(wěn)定工作,為客戶的電路設計提供了更加可靠的選擇。
銳駿半導體一直致力于為客戶提供高質(zhì)量的半導體產(chǎn)品,此次發(fā)布的兩款超低導通電阻MOSFET產(chǎn)品,再次展示了其在半導體領域的創(chuàng)新能力和技術實力。相信這兩款產(chǎn)品的推出,將為客戶帶來更加高效、可靠的解決方案,推動相關行業(yè)的發(fā)展和進步。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
151文章
10834瀏覽量
235086 -
導通電阻
+關注
關注
0文章
416瀏覽量
20748 -
銳駿半導體
+關注
關注
1文章
4瀏覽量
2417
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
Onsemi ECH8690功率MOSFET:低導通電阻的理想之選
Onsemi ECH8690功率MOSFET:低導通電阻的理想之選 在電子設計領域,功率MOSFET是不可或缺的關鍵元件,其性能直接影響到電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們來深入了解Ons
SGM25117A:超低導通電阻的先進負載管理開關
SGM25117A:超低導通電阻的先進負載管理開關 在電子設備的設計中,負載管理開關起著至關重要的作用。今天我們要介紹的 SGM25117A 就是一款具有超低
探究SGM25661:3.5V、6A超低壓導通電阻負載開關的卓越性能
的SGM25661——一款3.5V、6A超低壓導通電阻負載開關,看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。 文件下載: SGM25661.pdf 產(chǎn)品概述 SGM25661是一款集成N - MO
SGM3718:超低導通電阻雙 SPDT 模擬開關的卓越之選
SGM3718:超低導通電阻雙 SPDT 模擬開關的卓越之選 在電子設計領域,模擬開關是不可或缺的元件,它在信號切換、多路復用等方面發(fā)揮著重要作用。今天要給大家介紹的 SGM3718 雙 SPDT
SGM3003:超低導通電阻、低壓單刀雙擲模擬開關的卓越之選
SGM3003:超低導通電阻、低壓單刀雙擲模擬開關的卓越之選 在電子設計領域,模擬開關是實現(xiàn)信號路由和切換的關鍵元件。今天,我們就來深入探討SGMICRO推出的SGM3003超低
深入剖析SGM2267:超低導通電阻雙路SPDT模擬開關
深入剖析SGM2267:超低導通電阻雙路SPDT模擬開關 在電子設計領域,模擬開關是一種常見且關鍵的元件,它在信號路由、多路復用等方面發(fā)揮著重要作用。今天我們要詳細探討的是圣邦微電子(SGMICRO
SGM3005:超低導通電阻、低電壓雙路 SPDT 模擬開關的卓越之選
SGM3005:超低導通電阻、低電壓雙路 SPDT 模擬開關的卓越之選 在電子設計領域,模擬開關是一種常見且關鍵的元件,它在信號切換、多路復用等方面發(fā)揮著重要作用。今天我們就來深入了解一下
MAX14634:超低壓導通電阻雙向電池開關的卓越之選
MAX14634/MAX14680:超低壓導通電阻雙向電池開關的卓越之選 在電子設備設計領域,電池管理至關重要,尤其是對于高容量電池應用,高效且可靠的電池開關不可或缺。今天,我們就來深入探討
芯源的MOSFET采用什么工藝
采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發(fā)的,用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術有助于降低導
發(fā)表于 01-05 06:12
MOSFET導通電阻Rds
(1)Rds(on)和導通損耗直接相關,RDSON越小,功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
(2)Rds(on)時正溫度系數(shù),會隨著MOSFET溫度升高而變大,
發(fā)表于 12-23 06:15
MDD MOS導通電阻對BMS系統(tǒng)效率與精度的影響
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件,其導通電阻(RDS(on))參數(shù)對系統(tǒng)性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE,在支持客
辰達半導體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G
在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及新能源領域,MOSFET的導通損耗與動態(tài)響應直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結(jié)合屏蔽柵技術,突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG0
MOSFET導通電阻參數(shù)解讀
導通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測試條件下,使MOSFET處于完全導通狀態(tài)時(工作在線性區(qū)),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映
MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET
在服務器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(3
銳駿半導體發(fā)布全新超低導通電阻MOSFET
評論