近日，德州儀器（TI）宣布了一個(gè)重要的里程碑事件：其基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠正式投產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域自有制造產(chǎn)能的大幅提升，產(chǎn)能增至原來(lái)的四倍。

會(huì)津工廠的加入，不僅增強(qiáng)了德州儀器在GaN技術(shù)方面的實(shí)力，還驗(yàn)證了公司8英寸GaN技術(shù)的可行性，并開啟了大規(guī)模生產(chǎn)的序幕。這種制造方式不僅具有顯著的可擴(kuò)展性，還帶來(lái)了成本優(yōu)勢(shì)，為德州儀器擴(kuò)大GaN芯片自有制造奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

德州儀器表示，隨著GaN技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，公司將持續(xù)加大在GaN功率半導(dǎo)體方面的投入。預(yù)計(jì)到2030年，德州儀器自有制造產(chǎn)能將增至95%以上，這將為公司在全球市場(chǎng)上保持領(lǐng)先地位提供有力支持。

此次會(huì)津工廠的投產(chǎn)，是德州儀器在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出的重要一步。未來(lái)，德州儀器將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴(kuò)張，為全球客戶提供更加優(yōu)質(zhì)、高效的GaN功率半導(dǎo)體解決方案。