日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

德州儀器擴大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模

德州儀器 ? 來源:德州儀器 ? 2024-11-04 09:49 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新聞亮點:

德州儀器增加了 GaN 制造投入,將兩個工廠的 GaN 半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍。

德州儀器基于 GaN 的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。

憑借德州儀器品類齊全的 GaN 集成功率半導(dǎo)體,能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品。

德州儀器已成功開展在 12 英寸晶圓上應(yīng)用 GaN 制造工藝的試點項目。

德州儀器(TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)近日宣布,公司基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn),加上已有 GaN 制造產(chǎn)能,德州儀器的 GaN 功率半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能將提升至原來的四倍。

德州儀器技術(shù)和制造集團高級副總裁 Mohammad Yunus 表示:“基于在 GaN 芯片設(shè)計和制造領(lǐng)域數(shù)十年的專業(yè)知識,我們已成功驗證了德州儀器 8 英寸 GaN 技術(shù)并將開始大規(guī)模生產(chǎn)。這種 GaN 制造方式在目前階段擁有顯著的可擴展性和成本優(yōu)勢,頗具里程碑意義,可助力我們不斷擴大 GaN 芯片的自有制造。到 2030 年,我們的自有制造產(chǎn)能將增至 95% 以上,同時實現(xiàn)從多個德州儀器工廠供貨,從而確保我們高功率、高能效 GaN 半導(dǎo)體產(chǎn)品全系列的可靠供應(yīng)?!?/p>

GaN 技術(shù):功能強大,潛力無限

作為硅的替代品,GaN 是一種在能源效率、開關(guān)速度、電源解決方案尺寸和重量、總系統(tǒng)成本以及高溫和高壓性能方面頗具優(yōu)勢的半導(dǎo)體材料。GaN 芯片可提供更高的功率密度,即在較小的空間內(nèi)提供更大功率,因此可用于筆記本電腦手機中的電源轉(zhuǎn)換器以及暖通空調(diào)系統(tǒng)和家用電器中的更小型、更高能效電機驅(qū)動。

如今,德州儀器提供品類齊全的 GaN 集成功率半導(dǎo)體,涵蓋低壓和高壓類別,可助力打造高能效、高可靠性且高功率密度的電子產(chǎn)品。

德州儀器高壓電源部門副總裁 Kannan Soundarapandian 表示:“借助 GaN 技術(shù),德州儀器可以更高效地在緊湊空間內(nèi)提供更大功率,這也是驅(qū)動我們很多客戶進行創(chuàng)新的主要市場需求。服務(wù)器電源、太陽能發(fā)電和交流/直流適配器等系統(tǒng)的設(shè)計人員面臨著降低功耗并提高能效的挑戰(zhàn),他們越來越需要德州儀器穩(wěn)定供應(yīng)基于 GaN 的高性能芯片。德州儀器的集成式 GaN 功率級產(chǎn)品系列可助力客戶實現(xiàn)更高功率密度、更好易用性和更低系統(tǒng)成本?!?/p>

此外,德州儀器 GaN 芯片采用了德州儀器專有的硅基氮化鎵 (GaN-on-silicon) 工藝,經(jīng)過超 8 千萬小時的可靠性測試并具有集成保護特性,可保持高壓系統(tǒng)的安全性。

GaN 制造技術(shù):卓越性能,引領(lǐng)前沿

德州儀器采用了當(dāng)今市面上先進的 GaN 芯片制造設(shè)備,其新增產(chǎn)能可提升產(chǎn)品性能、制造工藝效率并帶來成本優(yōu)勢。

此外,德州儀器在提升 GaN 產(chǎn)能過程中采用了更先進、更高效的機臺,可以生產(chǎn)出體積更小但是功率更大的芯片。這種設(shè)計創(chuàng)新可在制造中使用更少的水資源、能源和原材料,采用 GaN 芯片的終端產(chǎn)品也能擁有同樣的環(huán)境效益。

面向未來,不斷擴展

德州儀器新增的 GaN 產(chǎn)能所帶來的性能優(yōu)勢還包括,可以支持公司將 GaN 芯片應(yīng)用擴展到更高的電壓范圍,起始電壓為 900V,并隨時間推移擴展至更高電壓,進一步推動機器人、可再生能源和服務(wù)器電源等應(yīng)用在功效和尺寸方面的創(chuàng)新。

德州儀器的擴大投資還包括今年年初成功開展的在 12 英寸晶圓上開發(fā) GaN 制造工藝的試點項目。此外,德州儀器擴展后的 GaN 制造工藝可全面轉(zhuǎn)為采用 12 英寸技術(shù),使公司可根據(jù)客戶需求迅速擴展規(guī)模并為未來轉(zhuǎn)為 12 英寸技術(shù)做好準(zhǔn)備。

致力于負(fù)責(zé)任、可持續(xù)的制造

擴大 GaN 技術(shù)的芯片供應(yīng)和創(chuàng)新應(yīng)用,是德州儀器踐行負(fù)責(zé)任、可持續(xù)制造理念的新一舉措。德州儀器還承諾了 2027 年美國業(yè)務(wù)全面實現(xiàn)可再生電力使用,并在 2030 年全球業(yè)務(wù)全面實現(xiàn)該目標(biāo)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31289

    瀏覽量

    266836
  • 德州儀器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    123

    文章

    2048

    瀏覽量

    145591
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1917

    瀏覽量

    120176

原文標(biāo)題:德州儀器擴大氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體自有制造規(guī)模, 產(chǎn)能提升至原來的四倍

文章出處:【微信號:tisemi,微信公眾號:德州儀器】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    德州儀器部分器件停產(chǎn)通知:設(shè)計應(yīng)對與替代方案

    20160729001),宣布將停止部分由東部鑄造廠供應(yīng)的器件生產(chǎn)。下面就為大家詳細(xì)解讀這份通知。 文件下載: TLV320DAC33BNIZQCR.pdf 停產(chǎn)概況 德州儀器宣布,由于東部鑄造廠停止用于制造這些器件的技術(shù),將對部分器件進行停產(chǎn)處理。此次停產(chǎn)屬于產(chǎn)品停產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 04-23 13:05 ?163次閱讀

    內(nèi)置氮化成主流?AHB技術(shù)你又了解多少?

    內(nèi)置氮化成主流?AHB技術(shù)你又了解多少? 在快充充電器等應(yīng)用中,非對稱半橋(AHB)拓?fù)鋺{借高效率、低EMI等優(yōu)勢,正受到越來越多工程師的青睞。 AHB 本質(zhì)上是在傳統(tǒng)反激思路上進一步優(yōu)化而來
    發(fā)表于 04-18 10:35

    意法半導(dǎo)體推出四款全新VIPERGAN氮化功率器件

    從快充充電器到工業(yè)自動化,氮化正成為高功率密度電源設(shè)計的核心選擇。意法半導(dǎo)體近日推出四款全新VIPERGAN氮化功率器件,持續(xù)推動
    的頭像 發(fā)表于 04-11 16:17 ?3550次閱讀
    意法<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出四款全新VIPERGAN<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率器件

    意法半導(dǎo)體推出氮化功率開關(guān)管半橋模塊MasterGaN6

    意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN系列氮化功率開關(guān)管半橋的第二代產(chǎn)品MasterGaN6,該功率系統(tǒng)級封裝(SiP)在一個封裝內(nèi)集成新的BCD柵極驅(qū)動器和導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅140mΩ的高性能GaN功率晶體管。
    的頭像 發(fā)表于 03-20 15:44 ?1818次閱讀

    德州儀器 TPS51632 芯片:設(shè)計與應(yīng)用全解析

    德州儀器 TPS51632 芯片:設(shè)計與應(yīng)用全解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,電源管理芯片的性能和特性對于整個系統(tǒng)的穩(wěn)定運行至關(guān)重要。德州儀器(TI)的 TPS51632 芯片就是一款備受關(guān)注的電源管理芯片
    的頭像 發(fā)表于 03-16 16:05 ?377次閱讀

    意法半導(dǎo)體氮化方案賦能高頻應(yīng)用新場景

    快充之所以能做到體積更小、充電更快,核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化(GaN)。作為寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表,氮化的材料特性十分突出
    的頭像 發(fā)表于 02-27 14:15 ?844次閱讀

    德州儀器半導(dǎo)體技術(shù)助力儲能系統(tǒng)革新

    在能源變革的新紀(jì)元,挑戰(zhàn)與機遇并存。德州儀器始終站在技術(shù)創(chuàng)新前沿,以先進的半導(dǎo)體解決方案推動能源基礎(chǔ)設(shè)施的智能化升級。
    的頭像 發(fā)表于 01-27 15:29 ?905次閱讀

    德州儀器:銅鍵合線在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用變革

    德州儀器:銅鍵合線在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用變革 在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,鍵合線的選擇對產(chǎn)品的性能、成本和供應(yīng)穩(wěn)定性有著至關(guān)重要的影響。德州儀器(TI)發(fā)布的PCN#20160608001通知,宣
    的頭像 發(fā)表于 01-18 16:55 ?1335次閱讀

    德州儀器LMG1205:高頻氮化場效應(yīng)管柵極驅(qū)動器的卓越之選

    德州儀器LMG1205:高頻氮化場效應(yīng)管柵極驅(qū)動器的卓越之選 在電子工程領(lǐng)域,高效、高頻的功率轉(zhuǎn)換一直是追求的目標(biāo)。隨著氮化(GaN)技
    的頭像 發(fā)表于 01-09 10:00 ?428次閱讀

    德州儀器解讀未來能源中的半導(dǎo)體創(chuàng)新

    能源變革催生并激發(fā)更智能高效的電網(wǎng)和能源系統(tǒng),并將電力架構(gòu)推向下一個階段。德州儀器始終站在技術(shù)創(chuàng)新前沿,以先進的半導(dǎo)體解決方案推動能源基礎(chǔ)設(shè)施的智能化升級。通過“能源深度場”專欄,我們將聚焦可持續(xù)能源發(fā)展中半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新,深入
    的頭像 發(fā)表于 01-08 14:33 ?929次閱讀

    安森美推出垂直氮化功率半導(dǎo)體

    隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化(vGaN)功率半導(dǎo)體,為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標(biāo)桿。這些突破性的新一代
    的頭像 發(fā)表于 10-31 13:56 ?2378次閱讀

    淺談氮化器件的制造難點

    制造氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMTs)具有一定難度,這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 16:30 ?5054次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>器件的<b class='flag-5'>制造</b>難點

    600億美元重大投資!模擬芯片巨頭德州儀器突傳重磅

    電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 據(jù)外媒報道,6月18日,美國芯片大廠德州儀器表示,將斥資600億美元擴大在美國的制造業(yè)務(wù)。這是在特朗普政府要求重建半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的壓力下,最新一家宣布提高美國國內(nèi)芯
    的頭像 發(fā)表于 06-20 01:03 ?6554次閱讀
    600億美元重大投資!模擬芯片巨頭<b class='flag-5'>德州儀器</b>突傳重磅

    納微半導(dǎo)體雙向氮化開關(guān)深度解析

    前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?3191次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>開關(guān)深度解析

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市未來科技有限公司(以下簡稱“未來”)在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍
    發(fā)表于 05-19 10:16
    孟津县| 龙岩市| 华亭县| 故城县| 恩平市| 沁水县| 弋阳县| 黄山市| 瑞安市| 道真| 玛纳斯县| 孝感市| 五大连池市| 临沂市| 嘉荫县| 莆田市| 洛浦县| 平顺县| 萨迦县| 虎林市| 石狮市| 武定县| 天台县| 镇赉县| 高州市| 瑞丽市| 新晃| 凤阳县| 巴林左旗| 元谋县| 方城县| 苏尼特左旗| 桑植县| 清新县| 桑日县| 安吉县| 永城市| 本溪市| 竹山县| 南通市| 湟源县|