工采網(wǎng)代理的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片 - SS6810R是一個(gè)有兩個(gè)h橋驅(qū)動(dòng)器的雙橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。該設(shè)備的額定電源電壓為42V。輸入接口采用palaa-in驅(qū)動(dòng)模式。電流衰減的間隔，快速衰減/慢衰減比可以以適當(dāng)?shù)姆绞竭M(jìn)行控制。此外，電源可以由一個(gè)單一的系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)，這簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。

雙橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片-SS6810R

SS6810R使用了eTSSOP20 173mil封裝，背面有一個(gè)暴露的熱墊，符合Rohs標(biāo)準(zhǔn)，引線框架100%無(wú)鉛。

通過(guò)電機(jī)繞組的電流由一個(gè)固定的PWM周期來(lái)調(diào)節(jié)，PWM周期由連接到CR引腳的電阻和電容器決定。當(dāng)H橋通電時(shí)，電機(jī)的電流上升和電流上升速率由直流電壓和電感繞組共同決定。一旦電流達(dá)到設(shè)定的斬波器閾值，關(guān)閉h橋，以防止電流進(jìn)一步上升，直到下一個(gè)PWM循環(huán)開(kāi)始。

為了避免在輸出僅打開(kāi)時(shí)可能出現(xiàn)RNFx峰值而產(chǎn)生的錯(cuò)誤檢測(cè)，在芯片內(nèi)部設(shè)置了一個(gè)自動(dòng)電流檢測(cè)屏蔽周期（tONMIN），這意味著在此期間沒(méi)有檢測(cè)到RNFx上的電壓。該函數(shù)不需要任何外部設(shè)置，并且該噪聲屏蔽周期也定義了h-橋MOS的較小開(kāi)啟時(shí)間。

連接到CR引腳的CR濾波器在VCRH和VCRL水平之間反復(fù)充放電。為了消除噪聲干擾，在CR從VCRL到VCRH充電期間屏蔽（即上面提到的噪聲屏蔽周期tONMIN）。一旦電壓達(dá)到VCRH，CR端子就開(kāi)始放電。當(dāng)輸出電流達(dá)到設(shè)定的電流閾值（即RNF電壓達(dá)到衰減觸發(fā)電壓）時(shí)，芯片進(jìn)入衰減模式。在此期間，CR繼續(xù)放電，直到達(dá)到VCRL，CR引腳開(kāi)始充電，芯片重新進(jìn)入充電模式。CR充電時(shí)間（tONMIN）和放電時(shí)間（t放電）由外部組件根據(jù)以下公式設(shè)置。噸和t放電組合產(chǎn)生斬波循環(huán)tCHOP。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片 - SS6810R的框架圖：

框架圖

馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片 - SS6810R的特性：

額定輸出電流（DC）1.0A

額定電源：10V-40V

低RDS（開(kāi)）

PARA-IN駕駛模式

PWM恒流

2位電流控制，提供了四個(gè)電流步驟

電流衰減模式可以任意設(shè)置為快速和慢衰減

內(nèi)置邏輯輸入下拉電阻器

熱停機(jī)電路（TSD）

過(guò)流保護(hù)和電流短路保護(hù)（OCP）

欠壓鎖閉電路（UVLO）

過(guò)壓鎖定電路（OVLO）

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審核編輯 黃宇