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我們今天重點(diǎn)講解Vdss，Vgss，Id，Idm參數(shù)。

datasheet中的電氣參數(shù)整體分兩大類(lèi)，一類(lèi)是極限參數(shù)，一類(lèi)是額定參數(shù)，MOSFET的極限參數(shù)是其能夠承受的最大值范圍，超出這些值可能導(dǎo)致元器件性能下降、損壞甚至失效，很多廠家的規(guī)格書(shū)還會(huì)備注上，極限參數(shù)由設(shè)計(jì)保證，批量無(wú)法保證（類(lèi)似于你買(mǎi)方便面，包裝袋上寫(xiě)著圖片僅供參考），所以我們一定要避免讓器件以極限值去工作。

1.連續(xù)漏源極電流(Id）

很多剛?cè)腴T(mén)的硬件工程師選MOSFET時(shí)，很關(guān)注這個(gè)參數(shù)，就像上面這個(gè)圖片一樣，Id最大值是100A，是不是意味著我們能拿這個(gè)MOSFET通100A的電流？當(dāng)然不是，因?yàn)閺S家這100A的測(cè)試條件備注了1），2）角標(biāo)，也就是下面的描述，這里明確說(shuō)了，這100A的最大電流和你的散熱設(shè)計(jì)有關(guān)，并且只是設(shè)計(jì)值，批量出貨的MOSFET不保證能通過(guò)100A。

有人會(huì)問(wèn)，那100A不行，我通22A可以不？22A也是有角標(biāo)的，3）的) Device on 2s2p FR4 PCB defined in accordance with JEDEC standards (JESD51-5, -7). PCB is vertical in still air.意思是說(shuō)該MOSFET位于符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn) (JESD51-5, -7) 定義的2s2p FR4 PCB上測(cè)試的電流（PS：這個(gè)測(cè)試MOSFET的PCB尺寸一般很大（具體可參考對(duì)應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)），并且只放了這一個(gè)MOSFET，實(shí)際我們?cè)赑CBA可不會(huì)有這么奢侈），PCB在靜止空氣中垂直放置。

問(wèn)題來(lái)了，那MOSFET到底能通多大的電流？這個(gè)問(wèn)題就要基于MOSFET的導(dǎo)通損耗，開(kāi)關(guān)損耗，以及熱阻去計(jì)算了，在此不做展開(kāi)，后續(xù)單獨(dú)開(kāi)文章說(shuō)明。

所以此MOSFET的連續(xù)漏源極電流(Id）數(shù)值并沒(méi)有太大的意義，大家看看得了，千萬(wàn)別當(dāng)真（很多MOSFET的銷(xiāo)售經(jīng)常拿這個(gè)參數(shù)吹牛說(shuō)自己的MOSFET多牛，讀了本文，你就可以現(xiàn)場(chǎng)打臉）。

2.脈沖漏源極電流(Idm)

不同廠家叫法不一，比如上圖中的，ID,pulse，指在脈沖工作模式下，MOSFET漏極與源極之間所能承受的最大瞬時(shí)電流。這一參數(shù)通常比連續(xù)漏源極電流 (Id) 大得多，但受限于持續(xù)時(shí)間和占空比（duty cycle），以避免MOSFET過(guò)熱或損壞，和連續(xù)漏源極電流一樣，僅供參考，別當(dāng)真。

3.最大漏源電壓（Vdss）

最大漏源電壓 (VDSS) 表示MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下，漏極和源極之間能夠承受的最大電壓值，超過(guò)此電壓可能導(dǎo)致MOSFET的擊穿或損壞。這個(gè)參數(shù)是我們需要重點(diǎn)關(guān)注的，比如下圖中MOSFET的最大漏源電壓是40V，如果我們的電源電壓是12-24V，我們是不是就可以高枕無(wú)憂(yōu)了？當(dāng)然不是，我們一定要記得，電源不是波瀾不驚的，而是波濤洶涌的，電源中會(huì)由于感性負(fù)載開(kāi)關(guān)，或者線束寄生電感，抑或是電源異常過(guò)壓導(dǎo)致的高壓脈沖（不同的產(chǎn)品會(huì)有對(duì)應(yīng)的EMC測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，我們可以從標(biāo)準(zhǔn)里看MOSFET會(huì)遭受哪些高壓脈沖）導(dǎo)致電源電壓可能超過(guò)40V，這時(shí)候我們要在漏極放置一個(gè)TVS來(lái)保護(hù)MOSFET。

4.最大柵源電壓（Vgss）

最大柵源電壓 (VGSS) 表示MOSFET的柵極和源極之間能夠承受的最大電壓值，超過(guò)此電壓可能導(dǎo)致MOSFET的柵極氧化層永久損壞。為了避免這個(gè)問(wèn)題的發(fā)生，有時(shí)候需要在MOSFET的柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)穩(wěn)壓二極管。

那為什么有的電路需要并聯(lián)穩(wěn)壓二極管，有的不需要呢？

1.看驅(qū)動(dòng)電路是否穩(wěn)定：

如果你用5V，比如MCU IO口驅(qū)動(dòng)MOSFET，那就不需要考慮這個(gè)問(wèn)題，如果你用的是驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)器的電源是從12電源取電，那就需要考慮這個(gè)問(wèn)題了。

2.部分MOSFET驅(qū)動(dòng)器有電壓限制功能，那我們也能節(jié)省外部的穩(wěn)壓二極管。

3.有些MOSFET內(nèi)部自帶穩(wěn)壓二極管。