本文介紹了干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法。

什么是側(cè)壁彎曲？

如上圖，是典型的干法刻蝕時，側(cè)壁彎曲的樣子，側(cè)壁為凹形或凸形結(jié)構(gòu)。而正常的側(cè)壁幾乎是垂直的，角度接近 90°。

什么原因?qū)е铝藗?cè)壁彎曲？ 1，離子從光刻膠掩模邊緣散射，以特定角度進入刻蝕區(qū)域，導(dǎo)致側(cè)壁形貌的偏差。這種散射取決于掩模的傾斜角度，如果角度較大，散射更顯著。

2，離子在鞘層中的散射：如果工藝壓力過高，在等離子體鞘層中，離子的碰撞和散射頻率增加，導(dǎo)致離子軌跡偏離，進而引起側(cè)壁彎曲。

3，生成的聚合物分布不均：聚合物通常在孔頂部沉積得更好，而在深度較大的區(qū)域沉積較差。這種分布不均導(dǎo)致特征的頂部受保護，而側(cè)壁底部容易受到攻擊，進而形成彎曲的側(cè)壁。

解決方案

1，光刻膠的形貌盡量做的陡直，不要坡度太大

2，工藝腔壓力不要太大，降低工藝腔壓力，減少散射，改善側(cè)壁形貌。

3，控制保護氣體比例，確保側(cè)壁的聚合物保護層均勻分布。