當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車(chē)市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ?，新能源汽?chē)需要高效、高密度的功率器件來(lái)實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。

同時(shí)，隨著全球能源結(jié)構(gòu)向可再生能源轉(zhuǎn)型，太陽(yáng)能光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)的普及對(duì)高效功率器件的需求不斷增加，各國(guó)在環(huán)保法規(guī)和能源戰(zhàn)略上對(duì)可再生能源的支持力度不斷加大。這些都為第三代半導(dǎo)體，包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了良好契機(jī)。據(jù)WSTS近期發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2024年第三季度全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)至1660億美元，環(huán)比增長(zhǎng)10.7%，該增幅是自2016年末以來(lái)的最高環(huán)比紀(jì)錄。

氮化鎵(GaN)具有高頻、高功率、低能耗等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于射頻通信、電力電子等領(lǐng)域。碳化硅(SiC)具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率等優(yōu)點(diǎn)，適用于高溫、高壓、高頻應(yīng)用場(chǎng)景。相對(duì)于傳統(tǒng)的硅基功率器件，第三代半導(dǎo)體具有多重優(yōu)勢(shì)，包括更高的開(kāi)關(guān)速度、支持高電流密度、耐受更高的溫度、低導(dǎo)通和開(kāi)通損耗。與此同時(shí)，其發(fā)展也伴隨著一些技術(shù)挑戰(zhàn)，如寄生電感效應(yīng)、封裝寄生電阻、電磁干擾等。此外，不同領(lǐng)域應(yīng)用的功率器件特點(diǎn)迥異，需要根據(jù)相應(yīng)需求和產(chǎn)品特性選擇合適的制造技術(shù)，以提升器件性能和可靠性，降低成本，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

隨著新業(yè)態(tài)、新應(yīng)用的興起，各類(lèi)功率器件也越來(lái)越多樣化，對(duì)于不同形態(tài)的功率器件，兼具高效率、高可靠性和低成本等特點(diǎn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)在其制造過(guò)程中不可或缺。在封裝領(lǐng)域，可通過(guò)技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)優(yōu)化散熱結(jié)構(gòu)，提升功率密度和熱管理效率，減少電能損耗等，助力第三代半導(dǎo)體器件充分釋放材料性能潛力，推動(dòng)更多創(chuàng)新應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)，從而為行業(yè)發(fā)展增添創(chuàng)新動(dòng)力。

長(zhǎng)電科技是全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服務(wù)，包括集成電路的系統(tǒng)集成、設(shè)計(jì)仿真、技術(shù)開(kāi)發(fā)、產(chǎn)品認(rèn)證、晶圓中測(cè)、晶圓級(jí)中道封裝測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)封裝測(cè)試、芯片成品測(cè)試并可向世界各地的半導(dǎo)體客戶(hù)提供直運(yùn)服務(wù)。

通過(guò)高集成度的晶圓級(jí)（WLP）、2.5D/3D、系統(tǒng)級(jí)（SiP）封裝技術(shù)和高性能的倒裝芯片和引線(xiàn)互聯(lián)封裝技術(shù)，長(zhǎng)電科技的產(chǎn)品、服務(wù)和技術(shù)涵蓋了主流集成電路系統(tǒng)應(yīng)用，包括網(wǎng)絡(luò)通訊、移動(dòng)終端、高性能計(jì)算、車(chē)載電子、大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、人工智能與物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)智造等領(lǐng)域。長(zhǎng)電科技在中國(guó)、韓國(guó)和新加坡設(shè)有八大生產(chǎn)基地和兩大研發(fā)中心，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)設(shè)有業(yè)務(wù)機(jī)構(gòu)，可與全球客戶(hù)進(jìn)行緊密的技術(shù)合作并提供高效的產(chǎn)業(yè)鏈支持。