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SiC市場激烈,萬年芯在碳化硅領(lǐng)域的深耕與展望

萬年芯微電子 ? 2024-12-20 16:41 ? 次閱讀
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2024年進(jìn)入尾聲,中國碳化硅(SiC)卻迎來一波“新陳代謝”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn);后有老玩家退場-世紀(jì)金光破產(chǎn)清算。碳化硅行業(yè)市高投入、高研發(fā)、高設(shè)備投入的行業(yè),江西萬年芯微電子認(rèn)為,沒有形成足夠規(guī)模的企業(yè)很難堅(jiān)持下去,最終市場篩出的,將是真正靠技術(shù)站穩(wěn)腳跟的企業(yè)。

wKgZPGdlLYWAAMLpAAV5tJkUm1U881.png圖片源于電力電子技術(shù)與應(yīng)用公眾號

卷價格,卷市場,碳化硅狂卷成風(fēng)

2021至2023年間,中國碳化硅產(chǎn)業(yè)在新能源市場的推動下迎來了繁榮,彼時大量新玩家涌現(xiàn),產(chǎn)能迅速擴(kuò)張。然而,盡管下游市場如電動汽車持續(xù)增長,其訂單量仍不足以消化產(chǎn)能,導(dǎo)致國內(nèi)碳化硅產(chǎn)品價格迅速下降,部分產(chǎn)品降價超過50%。

產(chǎn)品價格走低,但碳化硅器件的成本卻降不下來。國內(nèi)碳化硅企業(yè)在襯底和外延方面的成本過高,已經(jīng)占據(jù)了整個器件成本的70%,而器件設(shè)計(jì)、制造、封測等環(huán)節(jié)僅占30%。同一級別下SiC MOSFET的價格比硅基IGBT高4倍,高昂的成本限制了SiC MOSFET的應(yīng)用。

除了產(chǎn)能過剩與高昂成本,國內(nèi)碳化硅企業(yè)還要面臨愈演愈烈的市場競爭。

國際大廠如意法半導(dǎo)體、英飛凌等占據(jù)主要市場份額,同時碳化硅還需與硅基、氮化鎵半導(dǎo)體材料競爭市場份額。國內(nèi)碳化硅相關(guān)廠家數(shù)量已超過百家,市場競爭愈發(fā)激烈。

此外,國產(chǎn)碳化硅企業(yè)遭遇的困境還包括,融資難度增加、資本市場向頭部集中、中小企業(yè)融資困難等。

對此,萬年芯認(rèn)為,碳化硅行業(yè)壁壘高、投入高,且市場開拓周期長,小規(guī)模的企業(yè)無法進(jìn)行長期的市場開拓,難以獲得客戶認(rèn)可,導(dǎo)致未來發(fā)展道路充滿不確定性,資金實(shí)力不足的企業(yè)可能會逐漸退出市場。

講科研,講布局,萬年芯講求細(xì)作

眼見他起高樓,眼見他宴賓客,然而表面的喧囂終將褪去,只有科技實(shí)力才能沉淀。

預(yù)計(jì)未來5年,技術(shù)創(chuàng)新將成為碳化硅行業(yè)競爭的核心,產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展和多元化應(yīng)用領(lǐng)域拓展將成為行業(yè)的主要趨勢。在低空經(jīng)濟(jì)、新能源汽車、5G通信、光伏并網(wǎng)和工業(yè)驅(qū)動等領(lǐng)域,碳化硅晶圓、器件的需求將持續(xù)增長,推動市場規(guī)模擴(kuò)大。

江西萬年芯微電子有限公司成立于2017年,目前已獲得國內(nèi)專利134項(xiàng),是國家專精特新“小巨人”企業(yè)。作為國內(nèi)知名芯片封測及碳化硅功率器件廠商,萬年芯明確提出國內(nèi)碳化硅企業(yè)的當(dāng)務(wù)之急是加大研發(fā)投入,突破技術(shù)瓶頸。目前萬年芯旗下的碳化硅產(chǎn)品線包括SiCPIM功率器件、SiCIPM智能模塊和碳化硅MOS等。

SiCPIM功率器件系列,電壓1200~3300V,電流 300~1000A,最大額定功率240kW。該產(chǎn)品優(yōu)勢在于具有高耐壓、高可靠性、低損耗以及可高頻、高溫操作等優(yōu)越性能,可應(yīng)用于低空無人機(jī)充電樁、電動汽車等領(lǐng)域。

而SiC IPM智能模塊系列,電壓 650~1200V,功率300~7500W,適合于電機(jī)驅(qū)動和各種逆變電源,在低空無人機(jī)上應(yīng)用同樣優(yōu)勢明顯。產(chǎn)品優(yōu)勢在于其采用全新技術(shù)取替 IGBT IPM應(yīng)用,使無人機(jī)在重量上、體積上都會相應(yīng)減少,性能更加安全可靠。

在碳化硅市場的大浪淘沙中,依靠上述產(chǎn)品硬核實(shí)力,萬年芯有足夠的把握走得更遠(yuǎn)。同時,萬年芯還將積極開拓市場,尤其是新能源汽車、低空無人機(jī)、充電樁、變頻家電、逆變電源等新興領(lǐng)域,以消化產(chǎn)能并增加訂單。

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