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安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個(gè)步驟

安森美 ? 來源:安森美 ? 2025-01-09 10:31 ? 次閱讀
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在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應(yīng)對碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)、安森美(onsemi)在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢。本文為白皮書第三篇,將重點(diǎn)介紹應(yīng)用于柵極的 5 個(gè)步驟。

應(yīng)用于柵極的 5 個(gè)步驟

當(dāng)應(yīng)用于關(guān)鍵的柵極氧化物完整性 (GOI) 時(shí),詳細(xì)的質(zhì)量控制要素包括:

1.控制

為制造碳化硅技術(shù)制定控制方法和工具(例如,控制計(jì)劃、統(tǒng)計(jì)過程控制、過程故障模式和影響分析 (FMEA))。收集數(shù)據(jù)并將其用作潛在工藝改進(jìn)的基礎(chǔ)。

2.改進(jìn)

實(shí)施改進(jìn),由于襯底或外延缺陷、金屬污染物和顆粒會嚴(yán)重影響柵極氧化物質(zhì)量,因此持續(xù)改進(jìn)和控制引入生產(chǎn)可以大大減少缺陷的隱患。

3.測試和篩選

安森美開發(fā)了一整套視覺和電氣篩選工具,用于消除有缺陷的芯片。

在晶圓廠加工過程中進(jìn)行的襯底掃描和其他掃描,可通過坐標(biāo)和自動分類識別所有缺陷。這些多重檢查可以排除通過其他步驟發(fā)現(xiàn)的缺陷,并有助于識別關(guān)鍵工藝步驟中任何其他潛在的工藝邊際。上述檢查中發(fā)現(xiàn)的所有標(biāo)記缺陷均被排除在總體之外。

電氣篩選在多個(gè)級別實(shí)施:

- 晶圓級性能和驗(yàn)收(參數(shù)測試和柵極氧化物完整性驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn))

- 晶圓級老化

- 晶圓級芯片分類

- 實(shí)施動態(tài)部件平均測試以消除電氣異常值。最后,所有晶圓都經(jīng)過 100% 自動化出廠檢查。

4.表征

安森美使用失效電荷 (QBD) 作為一種簡單方法來比較柵極氧化物質(zhì)量,而不受柵極氧化物厚度的影響。該技術(shù)比 GOI/Vramp 更精細(xì),并且將檢測內(nèi)在分布中的細(xì)節(jié)。

碳化硅和硅柵極氧化物在擊穿和壽命方面具有相當(dāng)?shù)墓逃心芰?。本征QBD性能的比較(與柵極氧化物厚度無關(guān))表明,對于相同的標(biāo)稱厚度,非對稱平面碳化硅的本征性能是硅的50倍。

在生產(chǎn)中,通過對碳化硅MOSFET產(chǎn)品的失效電荷(QBD)進(jìn)行采樣來評估每個(gè)批次的柵極氧化物質(zhì)量,并將其與大面積(2.7mm x 2.7mm)NMOS電容器進(jìn)行比較。

已制定了一個(gè)驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn),用于晶圓級驗(yàn)收。

5.鑒定和提取模型

在定義應(yīng)激條件時(shí),確定柵極氧化物的真實(shí)電流導(dǎo)通機(jī)制至關(guān)重要。作為應(yīng)激電場和應(yīng)激溫度的函數(shù),熱輔助隧道與Fowler-Nordheim競爭。因此,了解導(dǎo)通機(jī)制可以防止另一種導(dǎo)通模式中的生產(chǎn)應(yīng)力,而不是在現(xiàn)場實(shí)際使用導(dǎo)通模式下的生產(chǎn)應(yīng)力。

通過時(shí)間相關(guān)電介質(zhì)擊穿 (TDDB) 應(yīng)力來評估柵極氧化物的固有性能。柵極偏置和溫度相結(jié)合對 碳化硅MOSFET 施加應(yīng)力,并記錄故障時(shí)間。然后使用Weibull統(tǒng)計(jì)分布來提取生命周期。

到目前為止,已經(jīng)使用了一種非常傳統(tǒng)的方法:Arrhenius溫度加速度和柵極電壓的E模型。正在進(jìn)行相關(guān)的研究,以完善該模型;E模型被認(rèn)為過于保守。正在進(jìn)行低氧化物場和長持續(xù)時(shí)間(63%為幾個(gè)月到一年以上)的應(yīng)力測試,通過實(shí)驗(yàn)確認(rèn)哪種模型最適合這些數(shù)據(jù)。

安森美的優(yōu)勢,在碳化硅應(yīng)用方面取得成功

安森美以獨(dú)特的方式認(rèn)識到碳化硅在未來電力電子領(lǐng)域中的關(guān)鍵作用。因此,公司正在投資產(chǎn)能和創(chuàng)新,以確保碳化硅盡快發(fā)揮其全部潛力。我們擁有從原材料到最終產(chǎn)品的端到端碳化硅制造流程,其中有很多步驟是業(yè)內(nèi)其他公司無法做到的,我們能夠控制完整流程,確保向客戶提供的碳化硅產(chǎn)品質(zhì)量。

憑借在 MOSFET 和 IGBT 方面的領(lǐng)先地位、技術(shù)和專業(yè)知識,以及數(shù)十年來在封裝技術(shù)方面的大量投資,我們了解客戶獨(dú)特的需求,不斷提供針對特定應(yīng)用的高性能EliteSiC 產(chǎn)品組合,與競爭對手相比,這些產(chǎn)品組合是在實(shí)際應(yīng)用的條件下開發(fā)的。憑借我們在電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域的深厚積累,以及基于可擴(kuò)展 SPICE 模型方法開發(fā)的系統(tǒng)級 PLECS 仿真工具,您可以信賴我們提供創(chuàng)新的解決方案,為您提供競爭優(yōu)勢并縮短上市時(shí)間。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:保姆級高質(zhì)量SiC制造白皮書(附下載)

文章出處:【微信號:onsemi-china,微信公眾號:安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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