三星否認重新設計1b DRAM
據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。
此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能問題，在2024年底決定在改進現(xiàn)有1b nm工藝的同時，從頭設計新版1b nm DRAM。
不過，三星通過相關媒體表示相關報道不準確。盡管三星否認了重新設計，但有業(yè)內(nèi)人士透露，三星的目標是提升1b DRAM的性能和良率。據(jù)了解，三星啟動了名為“D1b - p”的開發(fā)項目，重點關注提高電源效率和散熱性能。
此次事件凸顯了存儲芯片市場競爭的激烈程度，三星的DRAM業(yè)務走向仍備受業(yè)界關注。
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