調(diào)查稱韓國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)全面落后中國(guó)
根據(jù)韓國(guó)科技評(píng)估與規(guī)劃研究院（KISTEP）發(fā)布的一份調(diào)查報(bào)告顯示韓國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)全面落后中國(guó)。KISTEP針對(duì)39名韓國(guó)國(guó)內(nèi)專家實(shí)施問卷調(diào)查的結(jié)果顯示，截至去年，若將技術(shù)最先進(jìn)國(guó)家的水平設(shè)為100%，在不同的技術(shù)領(lǐng)域，韓國(guó)都落后中國(guó)。
高集成度、低阻抗存儲(chǔ)芯片技術(shù)：中國(guó)以94.1%的技術(shù)成熟度領(lǐng)先于韓國(guó)的90.9%；
高性能、低功耗人工智能芯片領(lǐng)域：中國(guó)（88.3%）較韓國(guó)（84.1%）保持4.2個(gè)百分點(diǎn)的優(yōu)勢(shì)；
功率半導(dǎo)體技術(shù)差距最為顯著，中國(guó)以79.8%的技術(shù)水平大幅領(lǐng)先韓國(guó)（67.5%）12.3個(gè)百分點(diǎn)；
新一代高性能傳感技術(shù)方面，中國(guó)（83.9%）與韓國(guó)（81.3%）的技術(shù)差距維持在2.6個(gè)百分點(diǎn)；
僅在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域，兩國(guó)以74.2%的同等技術(shù)水平并列。
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第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
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