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DS1747 Y2K兼容、非易失時鐘RAM技術(shù)手冊

要長高 ? 2025-02-27 15:51 ? 次閱讀
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概述
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1747內(nèi)部的所有寄存器進行訪問。RTC信息和控制位占用RAM中最高的8個地址。RTC寄存器包含世紀、年、月、日、星期、小時、分和秒數(shù)據(jù),采用24小時BCD格式。器件可自動對每個月份及閏年進行日期校正。RTC時鐘寄存器采用雙緩沖,可避免在時鐘更新周期內(nèi)訪問不正確的數(shù)據(jù)。雙緩沖系統(tǒng)還可以防止訪問時間寄存器時導致倒數(shù)計時無法減少而引起的時間丟失。DS1747還包含電源失效電路,用于當VCC電源超出容差時,禁止選通器件。由于低VCC引起不可預測的系統(tǒng)操作,該特性可以避免這種情況下的數(shù)據(jù)丟失,從而避免錯誤的訪問和更新。
image.png

數(shù)據(jù)表:*附件:DS1747 Y2K兼容、非易失時鐘RAM技術(shù)手冊.pdf

特性

  • 集成的NV SRAM、實時時鐘(RTC)、晶體、電源失效控制電路鋰電池
  • 訪問時鐘寄存器方式與靜態(tài)RAM完全相同,這些寄存器位于RAM中最高的8個地址
  • 世紀字節(jié)寄存器;Y2K兼容
  • 完全的非易失性,可在缺少電源的條件下工作10年以上
  • BCD編碼的世紀、年、月、日、星期、小時、分和秒數(shù)據(jù),可自動進行閏年補償至2100年
  • 電池電壓指示標志
  • 電源失效寫保護,允許±10%的VCC電源容差
  • 鋰電池處于開路的保鮮模式,直至首次電源加電
  • 僅對于DIP模塊:
    • 標準的JEDEC字節(jié)寬度512k x 8靜態(tài)RAM引腳排列
  • 僅對于PowerCap模板:
    • 可表貼的封裝直接與包含電池和晶體的PowerCap連接
    • 可替換的電池(PowerCap)
    • 上電復位輸出
    • 引腳兼容于其他密度的DS174xP時間保持RAM
  • 可提供工作在工業(yè)級溫度范圍(-40°C至+85°C)的芯片
    引腳配置
    image.png

設置時鐘
如表2所示,控制寄存器的第7位是W(寫)位。將W位設置為1會停止對設備寄存器的更新。用戶隨后可以將正確的日期和時間值加載到所有八個寄存器中,然后對控制寄存器進行00小時的寫入周期,以清除W位并將這些新設置傳輸?shù)綍r鐘中,從而允許從新的設定點恢復計時操作。
再次參考表2,控制寄存器的位6是R(讀?。┪?。將R位設置為1會停止對設備寄存器的更新。用戶隨后可以從八個寄存器中讀取日期和時間值,而這些內(nèi)容在I/0操作期間可能不會改變。隨后向控制寄存器寫入00小時以清除R位,允許計時操作從之前的設定點恢復。如果在該寫入操作中將W或R位設置為1,則控制寄存器位0:5(世紀值)的預先存在的內(nèi)容將被忽略/不被控制的寫入周期修改。
如果在寫入操作中將W位清除為0,則控制寄存器位0:5(世紀值)的預先存在的內(nèi)容將通過寫入周期修改為控制。如果在該寫入操作中將R位清除為0,則控制寄存器位0:5(世紀值)的預先存在的內(nèi)容將不會被寫入周期修改為控制。
image.png

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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