概述

ADRF5010 是一種非反射式單刀單擲 （SPST） 封裝 開關(guān)采用硅工藝制造。

該ADRF5010的工作頻率范圍為 0.1 GHz 至 55 GHz，帶插入 損耗低于 2 dB，隔離度高于 28 dB。這 該器件具有 30 dBm 的射頻輸入功率處理能力，用于 直通路徑和 30 dBm 熱切換。

該ADRF5010需要 ±3.3 V 的雙電源電壓。設(shè)備 采用 CMOS 和 LVTTL 兼容控制。

ADRF5010 也可采用單正電源供電 電壓 （VDD） 施加，而負電源電壓 （VSS） 綁在地上。在這種工作條件下，小信號性能 同時保持開關(guān)特性、線性度和 功率處理性能被降級。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5010硅SPST開關(guān)，非反射式，100MHz至55GHz技術(shù)手冊.pdf

ADRF5010 采用 14 引腳 2.25 mm x 2.25 mm 焊盤網(wǎng)格封裝 陣列 [LGA] 封裝，可在 -40°C 至 +105°C 范圍內(nèi)工作。

應(yīng)用

• 測試和儀器
• 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施：5G 毫米波
• 軍用無線電、雷達、電子對抗措施
• 微波無線電和極小孔徑終端
• 工業(yè)掃描儀
  特性
• 超寬帶頻率范圍：0.1 GHz 至 55 GHz
• 非反射端口，高功率端接路徑
• 對稱端口
• 低插入損耗
  • 20 GHz 時 1.0 dB（典型值）
  • 1.5 dB（典型值，40 GHz）
  • 2.0 dB（典型值，55 GHz）
• 隔離
  • 50 GHz 時為 30 dB（典型值）
  • 28 dB（典型值，55 GHz）
• 高輸入線性度
  • P0.1dB：>33 dBm（典型值）
  • 輸入 IP3 >60 dBm（典型值）
• 高功率處理 T型外殼 = 85 °C
  • 直通路徑
    • 峰值：36 dBm
    • 脈沖：33 dBm
    • 連續(xù)波：30 dBm
• 終止路徑
  • 峰值：33 dBm
  • 脈沖 33 dBm
  • 連續(xù)波：30 dBm
• 熱插拔
  • 峰值：33 dBm
  • 脈沖：33 dBm
  • 連續(xù)波：30 dBm
• CMOS/LVTTL 兼容
• 射頻開關(guān)時間：30 ns
• RF 建立時間（0.1 dB 最終 RF 輸出）：50 ns
• 雙電源供電：±3.3 V
• 14 引腳、2.25 mm x 2.25 mm、LGA 封裝

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5010有兩個電源引腳(VDD和Vss)和一個控制引腳(CTRL)。圖17顯示了電源引腳的外部元件和連接。Vpo和Vss引腳通過一個100 pF多層陶瓷電容去耦。器件引腳排列允許去耦電容靠近器件放置。偏置和操作不需要其它外部元件，當RF線路偏置電壓不同于0v時，RF引腳上的DC隔直電容除外，詳情參見“引腳配置和功能描述”部分。