概述

ADRF5424是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)，采用連接在砷化鎵(GaAs)載波襯底上的硅工藝制造。該襯底集成了芯片和引線裝配焊盤(pán)，且器件底部經(jīng)過(guò)金屬化處理并接地。

該器件的工作頻率范圍為100 MHz至60 GHz，在55 GHz時(shí)提供優(yōu)于1.5 dB的插入損耗和35 dB隔離性能。ADRF5424的通過(guò)路徑和熱切換均具有27 dBm（高達(dá)40 GHz時(shí)）的RF輸入功率處理能力。

ADRF5424在+3.3 V正電源電壓和-3.3 V負(fù)電源電壓下分別消耗14 μA和120 μA的低電流。該器件具有互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)/低壓晶體管對(duì)晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5424設(shè)計(jì)用于匹配50 Ω的特征阻抗。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5424載波裸片，硅SPDT開(kāi)關(guān)，100MHz至60GHz技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 測(cè)試和儀器儀表
• 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施：5G毫米波
• 軍用無(wú)線電、雷達(dá)和電子對(duì)抗(ECM)
• 微波無(wú)線電和甚小孔徑終端(VSAT)
  特性
• • 超寬帶頻率范圍：100 MHz 至 60 GHz
• 反射式設(shè)計(jì)
• 用于線焊和帶狀鍵合的焊盤(pán)
• 低插入損耗
  • 1.0 dB 典型值，最高 18 GHz
  • 1.3 dB 典型值，最高 44 GHz
  • 1.5 dB 典型值，最高 55 GHz
• 高輸入線性度
• P1dB：28 dBm（典型值）
• IP3：50 dBm（典型值）
• 高 RF 功率處理能力
  • 直通路徑：27 dBm，高達(dá) 40 GHz
  • 熱切換：27 dBm，高達(dá) 40 GHz
• 無(wú)低頻雜散信號(hào)
• RF 建立時(shí)間（50% VCTRL 至 0.1 dB 的最終 RF 輸出）：17 ns
• 14 焊盤(pán)、2.471 毫米 x 2.571 毫米、載體上裸片 [CHIP]
  框圖
  
  引腳配置
  
  接口示意圖