電子設備正常運轉(zhuǎn)離不開“邏輯”的精密驅(qū)動。例如，當我們在手機上滑動屏幕時，背后就有無數(shù)個CMOS邏輯電路在默默工作，它們通過復雜的邏輯運算，將我們的觸摸信號轉(zhuǎn)化為手機能夠理解的指令，從而實現(xiàn)各種功能。

那么CMOS邏輯是如何構成的？它又怎樣掌管著數(shù)字之門？

一般來說，使用互補的P溝道和N溝道MOSFET組合的電路稱為CMOS（互補MOS）。它以各種方式組合MOSFET來實現(xiàn)邏輯功能。例如，由一對P溝道和N溝道MOSFET組成的邏輯門稱為反相器（即輸入為高電平信號則輸出為低電平信號，輸入為低電平信號則輸出為高電平信號）。

在CMOS邏輯IC中，當MOSFET的柵極-源極電壓超過某個電壓（閾值電壓，|Vth|）時，漏極-源極電阻減小，使得MOSFET導通。這種漏極-源極電阻稱為導通電阻。N溝道和P溝道MOSFET的柵極和源極之間施加的電壓方向不同，因此導通結果也不相同。

N溝道MOSFET：當柵極電壓比源極電壓高|Vth|時，N溝道MOSFET導通。

P溝道MOSFET：當柵極電壓比源極電壓低|Vth|時，P溝道MOSFET導通。

為更好地了解CMOS邏輯，下圖展示了CMOS邏輯IC的橫截面示例：

#1為N基底，通常是晶圓基底。#2為P阱，指的是形成N溝道MOSEFT的區(qū)域。#3為N溝道MOSFET源極的擴散區(qū)。#4為N溝道MOSFET漏極的擴散區(qū)。#5為P溝道MOSFET漏極的擴散區(qū)。#6為P溝道MOSFET源極的擴散區(qū)。#7為P阱偏壓擴散區(qū)。#8為N基底偏壓擴散區(qū)。

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