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數(shù)據(jù)手冊(cè)#LP3873 3-A,低壓差穩(wěn)壓器,電源正常并啟用2.5 V和3.3V

科技綠洲 ? 2025-03-12 16:20 ? 次閱讀
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LP3873/LP3876 系列快速超低壓差線性穩(wěn)壓器采用 +2.5V 至 +7.0V 輸入電源工作。提供廣泛的預(yù)設(shè)輸出電壓選項(xiàng)。這些超低壓差線性穩(wěn)壓器對(duì)負(fù)載的階躍變化響應(yīng)非常迅速,這使得它們適用于低電壓微處理器應(yīng)用。LP3873/LP3876 采用 CMOS 工藝開發(fā),可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立于輸出負(fù)載電流的低靜態(tài)電流運(yùn)行。這種 CMOS 工藝還允許 LP3873/LP3876 在極低的壓差條件下工作。
*附件:LP3873、LP3876 3A 快速超低壓差線性穩(wěn)壓器 數(shù)據(jù)表 .pdf

壓差tage: 超低壓差;在 300mA 負(fù)載電流下通常為 80mV,在 3A 負(fù)載電流下通常為 800mV。

接地引腳電流: 3A 負(fù)載電流時(shí)通常為 6mA。

關(guān)機(jī)模式: 當(dāng)關(guān)斷引腳被拉低時(shí),靜態(tài)電流通常為 1μA。

錯(cuò)誤標(biāo)志: 當(dāng)輸出電壓低于標(biāo)稱值 10% 時(shí),錯(cuò)誤標(biāo)志變?yōu)榈碗娖健?/p>

意義: 感應(yīng)引腳改善了遠(yuǎn)程負(fù)載下的調(diào)節(jié)。

精密輸出電壓: 提供 1.8V 至 5.0V 的多種輸出電壓選項(xiàng),確保室溫下精度為 ±1.5%,在所有條件下(線路、負(fù)載和溫度變化)為 ±3.0%。

特性

  • 超低壓差
  • 低接地引腳電流
  • 負(fù)載調(diào)整率為 0.08%
  • 停機(jī)模式下的靜態(tài)電流為 1μA
  • 確保輸出電流為 3A DC
  • 采用 DDPAK/TO-263 和 TO-220 封裝
  • 輸出電壓精度 ± 1.5%
  • 錯(cuò)誤標(biāo)志指示輸出狀態(tài)
  • 感應(yīng)選項(xiàng)改善負(fù)載調(diào)整率
  • 最低輸出電容要求
  • 過熱/過流保護(hù)
  • ?40°C 至 +125°C 結(jié)溫范圍

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

一、產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:LP3873、LP3876
  • ?類型?:3A 快速超低壓差線性穩(wěn)壓器
  • ?特點(diǎn)?:高電流、快速響應(yīng)、超低壓差、低地引腳電流、低靜態(tài)電流(關(guān)斷模式下1μA)、過溫/過流保護(hù)、誤差標(biāo)志輸出

二、主要特性

  • ?最大輸出電流?:3A
  • ?壓差電壓?:80mV(典型值)@ 300mA,800mV(典型值)@ 3A
  • ?地引腳電流?:6mA(典型值)@ 3A
  • ?關(guān)斷電流?:1μA(典型值)
  • ?輸出電壓精度?:±1.5%(室溫),±3.0%(全條件)
  • ?溫度范圍?:-40°C至+125°C
  • ?封裝類型?:DDPAK/TO-263、TO-220

三、電氣特性

  • ?輸出電壓容差?:±1.5%(室溫),±3.0%(全條件)
  • ?輸出電壓線性調(diào)整率?:0.02%(典型值)
  • ?輸出電壓負(fù)載調(diào)整率?:0.08%(典型值)
  • ?靜態(tài)電流?:1μA(關(guān)斷模式),正常操作模式下根據(jù)條件變化
  • ?短路電流?:6A
  • ?誤差標(biāo)志閾值?:輸出電壓下降10%時(shí)標(biāo)志輸出低電平

四、功能特性

  • ?誤差標(biāo)志?:當(dāng)輸出電壓下降10%時(shí),誤差標(biāo)志引腳輸出低電平,具有遲滯特性。
  • ?遠(yuǎn)程感應(yīng)?:LP3876提供遠(yuǎn)程感應(yīng)引腳,可改善遠(yuǎn)程負(fù)載的調(diào)節(jié)性能。
  • ?短路保護(hù)?:內(nèi)置短路保護(hù)機(jī)制,可防止過流損壞。

五、應(yīng)用提示

  • ?外部電容?:需要至少1μF的輸入電容和10μF的輸出電容以保證穩(wěn)定性。推薦使用鉭電容,因其ESR適合且穩(wěn)定。
  • ?PCB布局?:輸入和輸出電容應(yīng)直接連接到穩(wěn)壓器的輸入、輸出和地引腳,避免使用通孔(vias)到內(nèi)部地平面,以防止穩(wěn)定性問題。
  • ?RFI/EMI防護(hù)?:在高噪聲環(huán)境中,應(yīng)在輸入和輸出端使用良好的旁路電容,以減少射頻干擾和電磁干擾的影響。

六、散熱與封裝

  • ?TO-220封裝?:θJA約為50°C/W(無散熱片),使用散熱片時(shí)可降低至4°C/W。
  • ?DDPAK/TO-263封裝?:θJA約為60°C/W(無散熱片),通過PCB銅板散熱可降低至更低值。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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