國際集成電路展覽會暨研討會（International IC & Component Exhibition and Conference, 簡稱: IIC）將于2025年3月27日～28日在上海金茂君悅大酒店（上海浦東新區(qū)世紀(jì)大道88號金茂大廈）舉辦，展位號：B05。本次大會聚焦綠色能源生態(tài)發(fā)展、中國IC設(shè)計創(chuàng)新、EDA/IP、MCU技術(shù)與應(yīng)用、高效電源管理及寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)等領(lǐng)域，涵蓋產(chǎn)品和技術(shù)展示、企業(yè)新品發(fā)布、高端峰會論壇、技術(shù)研討、產(chǎn)業(yè)人才交流、業(yè)界年度重磅獎項揭曉等多維度活動內(nèi)容。

屆時，我司工業(yè)市場經(jīng)理康博將為大家?guī)硪浴肮β拾雽?dǎo)體方案賦能高效可靠光儲系統(tǒng)”為主題的演講。

推薦產(chǎn)品

BLG40T120FDK5

BLG40T120FDK5是一款電壓等級為1200V、電流為40A的Trench FS IGBT，采用了第五代微溝槽多層場截止IGBT技術(shù)，具有開關(guān)速度快、關(guān)斷損耗小、導(dǎo)通電壓低等特點，可滿足客戶高效率設(shè)計要求；終端采用了電場優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求。適用于光伏逆變，PCS，開關(guān)電源逆變器，工業(yè)焊機等高頻應(yīng)用。

BLG40T120FDL5

BLG40T120FDL5是一款電壓等級為1200V、電流為40A的Trench FS IGBT，采用了第五代微溝槽多層場截止IGBT技術(shù)，優(yōu)化了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，實現(xiàn)了更好的輸出特性；cell設(shè)計進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計，可以達(dá)到10us以上的短路耐受時間；終端采用了電場優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求，可滿足客戶高可靠性、低導(dǎo)通損耗，強短路能力的設(shè)計要求。適用于通用變頻器，三相全橋逆變等應(yīng)用。

BLG80T65FDK7

BLG80T65FDK7是一款電壓等級為650V、電流為80A的Trench FS IGBT，采用了第七代微溝槽多層場截止IGBT技術(shù)，具有開關(guān)速度快、關(guān)斷損耗小、導(dǎo)通電壓低等特點，可滿足客戶高效率設(shè)計要求；終端采用了電場優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求。適用于充電樁，工業(yè)焊機等高頻應(yīng)用。

BLG80T65FDL7

BLG80T65FDL7是一款電壓等級為650V、電流為80A的Trench FS IGBT，采用了第七代微溝槽多層場截止IGBT技術(shù)，具有導(dǎo)通電壓低，短路性能強等特點，終端采用了電場優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求，可滿足客戶高可靠性、高短路耐量的設(shè)計要求。適用于電機驅(qū)動，通用驅(qū)動，通用變頻器等有短路要求的應(yīng)用。

BLQG160T75FDL7

BLQG160T75FDL7是一款電壓等級為750V、電流為160A的車規(guī)級Trench FS IGBT，采用了第七代微溝槽多層場截止IGBT技術(shù)，具有導(dǎo)通電壓低，短路性能強等特點，終端采用了電場優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求，可滿足客戶高可靠性、高短路耐量的設(shè)計要求。適用于通用驅(qū)動，工業(yè)、農(nóng)業(yè)車主驅(qū)等有短路要求的應(yīng)用。

BLQGMS820T75FEDL7

BLQGMS820T75FEDL7是一款電壓等級為750V、電流為820A的車規(guī)級Trench FS IGBT模塊，采用HPD封裝形式。IGBT芯片采用了第七代微溝槽多層場截止IGBT技術(shù)，優(yōu)化了導(dǎo)通壓降和開關(guān)損耗，實現(xiàn)更好的輸出特性；優(yōu)化了cell設(shè)計，改善了IGBT的短路能力，在50-400V不同母線電壓，0.75-20Ω不同電阻條件下，均無震蕩現(xiàn)象；終端采用了電場優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等可靠性要求，可滿足客戶高可靠性、高短路耐量的設(shè)計要求。適用于電動或者混動汽車主驅(qū)逆變回路。

BLC13N120

BLC13N120是一款電壓等級為1200V、導(dǎo)通電阻為13mohm的N溝道增強型平面SiC MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、高阻斷電壓和低柵極電荷等優(yōu)點，開關(guān)性能優(yōu)越。在固態(tài)斷路器、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器以及諧振拓?fù)涞葢?yīng)用中廣泛使用。

BLCMF011N120DG2

BLCMF011N120DG2是一款電壓等級為1200V、導(dǎo)通電阻為11mohm的SiC MOSFET模塊，該模塊采用緊湊的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，具有低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，支持高頻開關(guān)，在高效轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，憑借SiC材料的優(yōu)異特性，可在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行，同時減少散熱需求，幫助客戶簡化系統(tǒng)設(shè)計并降低總成本。