在現(xiàn)代電子電路設(shè)計和應(yīng)用中，寄生參數(shù)是指那些并非設(shè)計者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結(jié)構(gòu)、材料特性或布局布線等因素而自然產(chǎn)生的非預(yù)期電氣參數(shù)。這些參數(shù)雖然不是設(shè)計之初所考慮的，但它們對電路的性能和行為有著不可忽視的影響。在本次研究中，重點探討寄生電感對柵極振蕩的影響，同時通過實驗來逐步驗證。

在MOSFET、IGBT等功率器件中，寄生參數(shù)主要分為寄生電容，電阻，電感三方面，其中寄生電感的存在會對柵極振鈴產(chǎn)生顯著影響。其中，柵源極之間（焊引腳和鍵合線）的寄生電感L是導(dǎo)致柵極振鈴的主要因素。根據(jù)U=L*di/dt，開關(guān)速度快，即di/dt大，則在源極引腳寄生電感上產(chǎn)生的感應(yīng)電壓更大。此時，Vgs外部測量的電壓主要由內(nèi)部Cgs電壓疊加?xùn)旁醇纳姼校?-7nH）上感應(yīng)電壓。

圖1 寄生參數(shù)模型

實驗場景

為了測試器件內(nèi)外GS電壓差異，設(shè)計一組對比實驗。通過開窗方式漏出芯片打線，采用接地環(huán)方式直接測試芯片GS兩端（此處測量波形代表器件真實GS波形），同時用差分探頭靠近器件的GS引腳處作為常規(guī)測試方法（MOS外部測量波形）。

圖2 實驗平臺

對器件采取了開窗處理（如圖3）在不損傷芯片的前提下，同時保證前后測試條件一致。

圖3 開窗改造示意圖

此時我們將G（柵極）和S（源極）引線暴露出來，并使用探針直接對打線和引腳處的波形進(jìn)行測試。這種方法可以排除鍵合點位置的寄生干擾，同時可以最直觀地展示出差異性。

圖4 實際測試圖

實驗結(jié)果

測到開啟波形如下：

外部測到的Vgs電壓會在米勒平臺處有13V左右的振幅，而內(nèi)部的Vgs電壓此時波動幅度非常?。ㄝp微波動主要是電流和電壓突變時電磁干擾影響）。

測到關(guān)斷波形如下：

外部測到的Vgs電壓會在Ids突然下降時有很大負(fù)壓尖峰（約20V）。而內(nèi)部的Vgs此時幾乎不變。

總結(jié)

在米勒平臺處振蕩，Vgs外部測量的很大尖峰電壓是由源極引腳寄生電感在高di/dt時感應(yīng)電壓疊加到米勒平臺電壓上產(chǎn)生的。此時外部測量值也完全不代表器件內(nèi)部Vgs真實電壓。

另外，由于此時器件工作在飽和區(qū)（米勒平臺），內(nèi)部Vgs的輕微變化都會使溝道飽和電流大幅度跳變。所以可以通過監(jiān)測Ids或Ice電流是否出現(xiàn)大幅度波動來側(cè)面反映器件內(nèi)部的Vgs變化（因為內(nèi)部真實Vgs往往沒辦法測量）。

此外，為了減少寄生電感對柵極振蕩的影響，建議可以采取以下幾種措施。

1、首先，優(yōu)化電路設(shè)計是關(guān)鍵。合理設(shè)計電路布局和走線，減少寄生電容和寄生電感的產(chǎn)生。例如，采用短而粗的導(dǎo)線連接?xùn)艠O和驅(qū)動電路，以降低寄生電感；在柵極和源極之間加入適當(dāng)?shù)娜ヱ铍娙?，以減小寄生電容的影響。

2、其次，選擇合適的元器件也非常重要。通常我們需要選用寄生參數(shù)較小的元器件，如低寄生電容和低寄生電感的MOSFET等，這點在產(chǎn)品的規(guī)格書內(nèi)都會有所體現(xiàn)。此外，增加阻尼元件也是抑制諧振和震蕩的有效方法。在電路中增加阻尼電阻或阻尼電容等，以抑制諧振和震蕩的產(chǎn)生。

3、優(yōu)化驅(qū)動電路設(shè)計，確保柵極電壓能夠穩(wěn)定、快速地變化，其中也包括PCB的繪制與銅箔的合理鋪置。例如，采用合適的驅(qū)動電阻和驅(qū)動電流源，優(yōu)化電路布局和布線，合理安排元器件的位置，減少信號傳輸路徑上的干擾和損耗，采用合適的線寬、線距和走線方式，避免信號間的串?dāng)_和耦合。