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英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V的TO-247-2封裝,在提升效率的同時(shí)簡化設(shè)計(jì)

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2025-03-14 17:01 ? 次閱讀
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【2025年3月17日,德國慕尼黑訊】目前,許多工業(yè)應(yīng)用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展,實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于2024年9月推出CoolSiC肖特基二極管2000V G5產(chǎn)品系列,這是首款擊穿電壓達(dá)到2000V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴(kuò)展到TO-247-2封裝,其引腳可與現(xiàn)有的大多數(shù)TO-247-2封裝兼容。該產(chǎn)品系列非常適合最高直流母線電壓為1500 VDC的應(yīng)用,是太陽能和電動汽車充電樁的理想之選。

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這款TO-247-2封裝的2000V CoolSiC肖特基二極管G5的額定電流范圍為10A至80A。相比1200V 解決方案,這款產(chǎn)品能使開發(fā)人員在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高功率等級,同時(shí)將器件數(shù)量減半,從而簡化整體設(shè)計(jì),并有助于從多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)無縫過渡到兩電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

此外,TO-247-2封裝的肖特基二極管還采用.XT互聯(lián)技術(shù),大大降低了熱阻抗,提高了熱管理能力。它還通過HV-H3TRB可靠性測試,驗(yàn)證了在潮濕環(huán)境中的穩(wěn)定性。這款二極管沒有反向恢復(fù)和正向恢復(fù),且具有正向電壓低的特點(diǎn),從而確保了系統(tǒng)性能的提升。

2000V二極管系列可與英飛凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封裝CoolSiC MOSFET 2000V完美匹配。除TO-247-2封裝外,CoolSiC肖特基二極管2000V還提供TO-247PLUS-4 HCC封裝。

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